[发明专利]用于颗粒和金属性能增强的ESC陶瓷侧壁修饰在审
申请号: | 201710521432.0 | 申请日: | 2017-06-30 |
公开(公告)号: | CN107579031A | 公开(公告)日: | 2018-01-12 |
发明(设计)人: | 埃里克·A·佩普 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/687 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所31263 | 代理人: | 樊英如,邱晓敏 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 颗粒 金属 性能 增强 esc 陶瓷 侧壁 修饰 | ||
1.一种用于衬底处理系统的衬底支撑件,所述衬底支撑件包括:
基板;
布置在所述基板上的陶瓷层,其中所述陶瓷层包括下表面、配置为支撑衬底的上表面、和围绕从所述下表面延伸到所述上表面的所述陶瓷层的周边的侧壁,并且其中所述陶瓷层包括第一材料;
设置在所述基板和所述陶瓷层之间的接合层;和
形成在所述陶瓷层的所述侧壁上的保护层,其中所述保护层之后包括与所述第一材料不同的第二材料。
2.根据权利要求1所述的衬底支撑件,其中所述第二材料是基于非氧化铝的材料。
3.根据权利要求1所述的衬底支撑件,其中所述第二材料是氧化钇喷涂。
4.根据权利要求1所述的衬底支撑件,其中所述第二材料比所述第一材料具有对等离子体更大的耐性。
5.根据权利要求1所述的衬底支撑件,其中所述保护层的厚度在0.005”至0.010”之间。
6.一种形成用于衬底处理系统的衬底支撑件的方法,所述方法包括:
提供基板;
在所述基板上沉积接合层;
在所述基板上布置陶瓷层,其中所述陶瓷层包括下表面、配置为支撑衬底的上表面、和围绕从所述下表面延伸到所述上表面的所述陶瓷层的周边的侧壁,并且其中所述陶瓷层包括第一材料;以及
以下中的至少一个步骤:
在所述陶瓷层的所述侧壁上形成保护层,其中所述保护层之后包括与所述第一材料不同的第二材料,
抛光所述陶瓷层的所述侧壁,以及
酸蚀刻所述陶瓷层的所述侧壁。
7.根据权利要求6所述的衬底支撑件,其中所述第二材料是基于非氧化铝的材料。
8.根据权利要求6所述的衬底支撑件,其中形成所述保护层包括在所述陶瓷层的所述侧壁上施加氧化钇喷涂。
9.根据权利要求6所述的衬底支撑件,其中所述第二材料比所述第一材料具有对等离子体更大的耐性。
10.根据权利要求6所述的衬底支撑件,其中抛光所述陶瓷层的所述侧壁包括将所述侧壁抛光至小于30微英寸的表面粗糙度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造