[发明专利]显示基板、显示装置及显示基板的制作方法

说明书

本发明公开一种显示基板、显示装置及显示基板的制作方法，以改善薄膜晶体管的性能，提高显示装置的产品品质。显示基板包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的底栅型薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：有源层，包括沿远离所述衬底基板的方向载流子浓度依次减小的第一浓度层、第二浓度层和第三浓度层，所述第二浓度层包括用于与源极连接的第一连接部和用于与漏极连接的第二连接部，所述第三浓度层曝露出所述第一连接部和所述第二连接部；刻蚀阻挡层，设置于所述有源层远离所述衬底基板的一侧且不超出所述第三浓度层的边缘；源极和漏极，设置于所述刻蚀阻挡层远离所述衬底基板的一侧且分别与所述第一连接部和所述第二连接部连接。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示基板、显示装置及显示基板的制作方法。

背景技术

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)是场效应晶体管的种类之一，主要应用于平板显示装置中。

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、制造成本相对较低和无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。

有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，简称AMOLED)显示技术被称为新一代显示技术，其采用独立的TFT去控制每个发光单元，每个发光单元皆可以连续且独立的驱动发光。相比传统的TFT-LCD，AMOLED显示装置具有画面切换快、视角宽、发光效率高、对比度高、可柔性和超薄显示等优势。

上述显示装置的显示基板上的TFT通常包括顶栅和底栅两种类型。如图1所示，现有一种底栅型TFT包括：在衬底基板10上依次设置的栅极01、绝缘层02、有源层03、刻蚀阻挡层04和源漏极层，源漏极层的源极05和漏极06相对设置且分别与有源层03连接。

对于性能优良的TFT，需要具备较大的阈值电压，较高的开关态电流比，较小的亚阈值摆幅，以及较高的稳定性，这些对有源层的结构、表面缺陷态、载流子浓度和载流子迁移率等特性提出了较高的要求。然而，有源层的上述特性对TFT性能的影响存在非单一性，这为TFT性能的研究改善带来了很大的困难。例如，若要TFT具备较大的阈值电压，就需要有源层具有较低的载流子浓度和较低的载流子迁移率；若要TFT具备较高的开关态电流比，则又需要有源层具有较高的载流子浓度和较高的载流子迁移率。

因此，如何提高TFT的性能，从而提高显示装置的产品品质，是本发明亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明实施例的目的是提供一种显示基板、显示装置及显示基板的制作方法，以改善TFT的性能，提高显示装置的产品品质。

本发明实施例所提供的显示基板，包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的底栅型TFT，所述TFT包括：

有源层，包括沿远离所述衬底基板的方向载流子浓度依次减小的第一浓度层、第二浓度层和第三浓度层，所述第二浓度层包括用于与源极连接的第一连接部和用于与漏极连接的第二连接部，所述第三浓度层曝露出所述第一连接部和所述第二连接部；

刻蚀阻挡层，设置于所述有源层远离所述衬底基板的一侧且不超出所述第三浓度层的边缘；

源极和漏极，设置于所述刻蚀阻挡层远离所述衬底基板的一侧且分别与所述第一连接部和所述第二连接部连接。