[发明专利]低漏电流模拟开关电路

说明书

一种低漏电流模拟开关电路，所述开关电路包括串联连接的第一调整晶体管和电阻元件，设置在第一开关管和第二开关管之间的中间节点，当所述第一开关管断开时，所述第一调整晶体管和电阻元件对所述第一开关管的源端进行上拉或下拉，改善开关的漏电流，所述电阻元件的设置可以在上拉或下拉时进一步弱化漏电。在低功耗电路中具有小的漏电流，增强了电路的性能。

技术领域

本发明涉及模拟电路，尤其涉及一种低漏电流模拟开关电路。

背景技术

很多模拟电路中，根据传输电压的不同用到NMOS、PMOS模拟开关。在只需要传输低电平时，使用NMOS模拟开关；只需要传输高电平时，使用PMOS模拟开关。随着工艺的越来越先进，器件的线宽越来越小，同时为了器件的信赖性考虑，电源电压也越来越低。很多电路中开关既需要低导通，又需要低漏电流。

本发明提出一种低漏电流模拟开关电路，可以在低功耗电路中解决现有技术中漏电流过大的问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，克服现有技术中存在的问题，提供一种低漏电流模拟开关电路，在低功耗电路中具有小的漏电流。

为了解决上述问题，根据本发明的一个方面，提供一种低漏电流模拟开关电路，包括：

第一节点；

第二节点；

控制节点；

串联连接的第一开关管和第二开关管，所述第一开关管耦接在所述第一节点和一中间节点之间，所述第二开关管耦接在所述第二节点和中间节点之间；以及

串联连接的第一调整晶体管和电阻元件，所述第一调整晶体管耦接在一共用节点和中间节点之间，所述电阻元件耦接在一第三节点和共用节点之间。

进一步的，所述电阻元件为一电阻，所述电阻耦接在所述第三节点和共用节点之间；或，所述电阻元件为多个串联的电阻，所述多个串联的电阻耦接在一第三节点和共用节点之间。

进一步的，所述电阻元件包括一第二调整晶体管，所述第二调整晶体管耦接在所述第三节点和共用节点之间，所述第二调整晶体管的栅极耦接所述共用节点。

进一步的，所述第一调整晶体管的衬底和所述第二调整晶体管的衬底连接后，耦接所述第三节点。

进一步的，所述第一调整晶体管和所述第二调整晶体管的类型相同。

进一步的，所述第一调整晶体管的栅极耦接所述控制节点。

进一步的，所述第一开关管的栅极和第二开关管的栅极均耦接所述控制节点。

进一步的，所述第一开关管和第二开关管的类型相同，所述第一开关管和第一调整晶体管的类型相反；或，所述控制节点与所述第一调整晶体管之间串联一反向器，所述第一开关管、第二开关管和第一调整晶体管的类型均相同。

进一步的，当所述第一调整晶体管的类型为P型，所述第三节点为电源节点；或，当所述第一调整晶体管的类型为N型，所述第三节点为接地节点。

进一步的，所述第一开关管和第二开关管的栅极长宽比之差小于等于10％。

本发明提供低漏电流模拟开关电路，包括串联连接的第一调整晶体管和电阻元件，设置在第一开关管和第二开关管之间的中间节点，当所述第一开关管断开时，所述第一调整晶体管和电阻元件对所述第一开关管的源端进行上拉或下拉，改善开关的漏电流，所述电阻元件的设置可以在上拉或下拉时进一步弱化漏电。在低功耗电路中具有小的漏电流，增强了电路的性能。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式来详细说明本发明：