[发明专利]低漏电流模拟开关电路在审

专利信息
申请号: 201710505929.3 申请日: 2017-06-28
公开(公告)号: CN109150148A 公开(公告)日: 2019-01-04
发明(设计)人: 胡科回;张伟 申请(专利权)人: 华大半导体有限公司
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687
代理公司: 上海专尚知识产权代理事务所(普通合伙) 31305 代理人: 张政权;周承泽
地址: 201203 上海市浦东新区自由*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 漏电流 第一开关 电阻元件 模拟开关电路 调整晶体管 上拉 下拉 低功耗电路 漏电 开关电路 中间节点 开关管 断开 源端 电路 弱化
【权利要求书】:

1.一种低漏电流模拟开关电路,其特征在于,包括:

第一节点;

第二节点;

控制节点;

串联连接的第一开关管和第二开关管,所述第一开关管耦接在所述第一节点和一中间节点之间,所述第二开关管耦接在所述第二节点和中间节点之间;以及

串联连接的第一调整晶体管和电阻元件,所述第一调整晶体管耦接在一共用节点和中间节点之间,所述电阻元件耦接在一第三节点和共用节点之间。

2.如权利要求1所述的低漏电流模拟开关电路,其特征在于,所述电阻元件为一电阻,所述电阻耦接在所述第三节点和共用节点之间;或,所述电阻元件为多个串联的电阻,所述多个串联的电阻耦接在一第三节点和共用节点之间。

3.如权利要求1所述的低漏电流模拟开关电路,其特征在于,所述电阻元件包括一第二调整晶体管,所述第二调整晶体管耦接在所述第三节点和共用节点之间,所述第二调整晶体管的栅极耦接所述共用节点。

4.如权利要求3所述的低漏电流模拟开关电路,其特征在于,所述第一调整晶体管的衬底和所述第二调整晶体管的衬底连接后,耦接所述第三节点。

5.如权利要求3所述的低漏电流模拟开关电路,其特征在于,所述第一调整晶体管和所述第二调整晶体管的类型相同。

6.如权利要求1至5中任意一项所述的低漏电流模拟开关电路,其特征在于,所述第一调整晶体管的栅极耦接所述控制节点。

7.如权利要求1至5中任意一项所述的低漏电流模拟开关电路,其特征在于,所述第一开关管的栅极和第二开关管的栅极均耦接所述控制节点。

8.如权利要求1至5中任意一项所述的低漏电流模拟开关电路,其特征在于,所述第一开关管和第二开关管的类型相同,所述第一开关管和第一调整晶体管的类型相反;或,所述控制节点与所述第一调整晶体管之间串联一反向器,所述第一开关管、第二开关管和第一调整晶体管的类型均相同。

9.如权利要求1至5中任意一项所述的低漏电流模拟开关电路,其特征在于,当所述第一调整晶体管的类型为P型,所述第三节点为电源节点;或,当所述第一调整晶体管的类型为N型,所述第三节点为接地节点。

10.如权利要求1至5中任意一项所述的低漏电流模拟开关电路,其特征在于,所述第一开关管和第二开关管的栅极长宽比之差小于等于10%。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华大半导体有限公司,未经华大半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710505929.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top