[发明专利]低漏电流模拟开关电路在审
申请号: | 201710505929.3 | 申请日: | 2017-06-28 |
公开(公告)号: | CN109150148A | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 胡科回;张伟 | 申请(专利权)人: | 华大半导体有限公司 |
主分类号: | H03K17/687 | 分类号: | H03K17/687 |
代理公司: | 上海专尚知识产权代理事务所(普通合伙) 31305 | 代理人: | 张政权;周承泽 |
地址: | 201203 上海市浦东新区自由*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 漏电流 第一开关 电阻元件 模拟开关电路 调整晶体管 上拉 下拉 低功耗电路 漏电 开关电路 中间节点 开关管 断开 源端 电路 弱化 | ||
1.一种低漏电流模拟开关电路,其特征在于,包括:
第一节点;
第二节点;
控制节点;
串联连接的第一开关管和第二开关管,所述第一开关管耦接在所述第一节点和一中间节点之间,所述第二开关管耦接在所述第二节点和中间节点之间;以及
串联连接的第一调整晶体管和电阻元件,所述第一调整晶体管耦接在一共用节点和中间节点之间,所述电阻元件耦接在一第三节点和共用节点之间。
2.如权利要求1所述的低漏电流模拟开关电路,其特征在于,所述电阻元件为一电阻,所述电阻耦接在所述第三节点和共用节点之间;或,所述电阻元件为多个串联的电阻,所述多个串联的电阻耦接在一第三节点和共用节点之间。
3.如权利要求1所述的低漏电流模拟开关电路,其特征在于,所述电阻元件包括一第二调整晶体管,所述第二调整晶体管耦接在所述第三节点和共用节点之间,所述第二调整晶体管的栅极耦接所述共用节点。
4.如权利要求3所述的低漏电流模拟开关电路,其特征在于,所述第一调整晶体管的衬底和所述第二调整晶体管的衬底连接后,耦接所述第三节点。
5.如权利要求3所述的低漏电流模拟开关电路,其特征在于,所述第一调整晶体管和所述第二调整晶体管的类型相同。
6.如权利要求1至5中任意一项所述的低漏电流模拟开关电路,其特征在于,所述第一调整晶体管的栅极耦接所述控制节点。
7.如权利要求1至5中任意一项所述的低漏电流模拟开关电路,其特征在于,所述第一开关管的栅极和第二开关管的栅极均耦接所述控制节点。
8.如权利要求1至5中任意一项所述的低漏电流模拟开关电路,其特征在于,所述第一开关管和第二开关管的类型相同,所述第一开关管和第一调整晶体管的类型相反;或,所述控制节点与所述第一调整晶体管之间串联一反向器,所述第一开关管、第二开关管和第一调整晶体管的类型均相同。
9.如权利要求1至5中任意一项所述的低漏电流模拟开关电路,其特征在于,当所述第一调整晶体管的类型为P型,所述第三节点为电源节点;或,当所述第一调整晶体管的类型为N型,所述第三节点为接地节点。
10.如权利要求1至5中任意一项所述的低漏电流模拟开关电路,其特征在于,所述第一开关管和第二开关管的栅极长宽比之差小于等于10%。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华大半导体有限公司,未经华大半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710505929.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。