[发明专利]一种量子点发光二极管及制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及电气技术领域，特别是涉及一种量子点发光二极管及制备方法。

背景技术

量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，简称QLED)具有色域广，色纯度高，高效节能，价格低廉等优点，在电气技术领域具有广阔的应用前景。目前效率较高的QLED多数采用溶液法构筑的有机-无机杂化的器件结构，即有机空穴传输层和无机电子传输层，其中，作为空穴传输层的有机聚合物或者有机小分子材料由于在水氧和通电条件下不稳定易降解，造成QLED性能衰减，严重的影响量子点发光二极管的稳定性。另外有机空穴传输层的迁移率相对于无机电子传输层的迁移率较低，容易引起注入载流子不平衡，降低QLED效率。

针对上述问题，如何构建性能稳定、避免器件被氧化、能够平衡注入载流子的QLED无疑是电气技术领域迫切需要解决的问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种量子点发光二极管，通过设置无机空穴传输层，不仅有效避免器件被氧化的问题，提高QLED的稳定性，还提高载流子注入平衡和QLED效率。

为实现上述目的，本发明提供一种量子点发光二极管，所述量子点发光二极管包括：底电极、无机电子传输层、量子点发光层、无机空穴传输层、顶电极；在所述底电极上设置所述无机电子传输层，在所述无机电子传输层上设置所述量子点发光层，在所述量子点发光层上设置所述无机空穴传输层，在所述无机空穴传输层上设置所述顶电极。

可选的，所述量子点发光二极管还包括：第一无机绝缘层、第二无机绝缘层；

所述第一无机绝缘层设置在所述无机电子传输层与所述量子点发光层之间，所述第二无机绝缘层设置在所述量子点发光层与所述无机空穴传输层之间。

可选的，所述第一无机绝缘层的材料为氧化铝、氧化钙、氧化硅、氧化镓中至少一种；所述第一无机绝缘层的厚度为2～10nm。

可选的，所述第二无机绝缘层的材料为氧化铝、氧化钙、氧化硅、氧化镓中至少一种；所述第二无机绝缘层的厚度为2～10nm。

可选的，所述无机电子传输层的材料为氧化锌、氧化钛、氧化锆、镁掺杂氧化锌、氧化锡中至少一种；所述无机电子传输层的厚度10～60nm。

可选的，所述量子点发光层的材料为II-VI族和/或III-V族元素中半导体化合物中至少一种；所述量子点发光层的厚度为10～45nm。

可选的，所述无机空穴传输层的材料为氧化镍、氧化钼、氧化钨、氧化钒、硫化钼、硫化钨、氧化铜中至少一种；所述无机空穴传输层的厚度为10～100nm。

可选的，所述顶电极的厚度为60～150nm。

本发明还提供一种量子点发光二极管制备方法，所述方法包括下述步骤：

对底电极依次进行清洗和紫外-臭氧处理机处理，获得干净的底电极；

在所述干净的底电极上利用沉积法获得无机电子传输层；

在所述无机电子传输层上利用沉积法获得第一无机绝缘层；

在所述第一无机绝缘层上利用沉积法获得量子点发光层；

在所述量子点发光层上利用沉积法获得第二无机绝缘层；

在所述第二无机绝缘层上利用沉积法获得无机空穴传输层；

在所述无机空穴传输层上进行蒸镀作为顶电极。

可选的，所述沉积法为旋转涂膜法或原子层沉积法。

根据本发明提供的具体实施例，本发明公开了以下技术效果：

1、本发明通过设置无机空穴传输层，不仅有效的避免器件被氧化的问题，提高量子点的稳定性，还提高载流子注入平衡和QLED效率。

2、本发明在量子点发光层两侧还分别设置第一无机绝缘层和第二无机绝缘层，不但阻挡无机空穴传输层和无机电子传输层分别对量子点发光层带电问题，还通过调整第一无机绝缘层和第二无机绝缘层厚度来调控载流子注入效率,进一步提高载流子注入平衡，进而提高器件效率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方式，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例量子点发光二极管结构图；

图2为本发明实施例量子点发光二极管制备方法流程图；

图3为本发明实施例基于Al₂O₃绝缘层的量子点发光二极管；