[发明专利]存储器存储装置及其测试方法

说明书

本发明提供一种存储器存储装置，包括存储器晶胞阵列以及存储器控制电路。存储器晶胞阵列包括多个存储器晶胞。存储器晶胞阵列用以存储数据。存储器控制电路耦接至存储器晶胞阵列。存储器控制电路用以对存储器晶胞当中的目标存储器晶胞施加设定信号以及重置信号两者其中之一以产生读取电流。存储器控制电路接收目标存储器晶胞的读取电流。存储器控制电路比较读取电流与参考电流。存储器控制电路依据比较结果来判断目标存储器晶胞是否失败。另外，一种存储器存储装置的测试方法也被提出。

技术领域

本发明涉及一种电子装置及其测试方法，尤其涉及一种存储器存储装置及其测试方法。

背景技术

目前，电阻式随机存取存储器(resistive random access memory，RRAM)是业界积极发展的一种非易失性存储器，其具有写入操作电压低、写入抹除时间短、存储时间长、非破坏性读取、多状态存储、结构简单以及所需面积小等优点。

一般来说，电阻式存储器可根据所施加的脉冲电压大小及极性来改变丝状导电路径(filament path)的宽度。藉此将电阻值可逆且非挥发地设定为低电阻状态(lowresistance state，LRS)或高电阻状态(high resistance state，HRS)，以分别表示不同逻辑准位的存储数据。举例来说，在写入数据逻辑1时，可通过施加重置脉冲(RESET pulse)来窄化丝状导电路径的宽度以形成高电阻状态。在写入数据逻辑0时，可通过施加极性相反的设定脉冲(SET pulse)来增加丝状导电路径的宽度以形成低电阻状态。藉此，在读取数据时，可依据不同电阻状态下产生的不同大小范围的读取电流，来读取逻辑1或逻辑0的数据。

然而，由于处理上的差异，部分的存储器晶胞可能无法可靠地确保存储于其中的数据的正确性。因此，如何提供一个存储器存储装置及其测试方法，可改善存储器存储装置的耐久能力(endurance)、保持能力(retention)以及存储器晶胞(cell)的可靠度(reliability)为本领域的技术人员的重要课题之一。

发明内容

本发明提供一种存储器存储装置及其测试方法，可改善存储器存储装置的耐久能力、保持能力以及存储器晶胞(cell)的可靠度。

本发明的存储器存储装置包括存储器晶胞阵列以及存储器控制电路。存储器晶胞阵列包括多个存储器晶胞。存储器晶胞阵列用以存储数据。存储器控制电路耦接至存储器晶胞阵列。存储器控制电路用以对存储器晶胞当中的目标存储器晶胞施加设定信号以及重置信号两者其中之一以产生读取电流。存储器控制电路接收目标存储器晶胞的读取电流。存储器控制电路比较读取电流与参考电流。存储器控制电路依据比较结果来判断目标存储器晶胞是否失败。

本发明的存储器存储装置的测试方法包括：对存储器晶胞当中的目标存储器晶胞施加设定信号以及重置信号两者其中之一以产生读取电流；接收目标存储器晶胞的读取电流，并且比较读取电流与参考电流；以及依据比较结果来判断目标存储器晶胞是否失败。

基于上述，在本发明的示范实施例中，存储器控制电路依据读取电流与参考电流的比较结果来判断目标存储器晶胞是否失败，以改善存储器存储装置的耐久能力、保持能力以及存储器晶胞的可靠度。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1显示本发明一实施例的存储器存储装置的概要示意图；

图2显示本发明一实施例的存储器存储装置的测试方法的步骤流程图；

图3显示本发明另一实施例的存储器存储装置的测试方法的步骤流程图；

图4显示本发明另一实施例的存储器存储装置的测试方法的步骤流程图。

附图标号说明：

100：存储器存储装置