[发明专利]存储器存储装置及其测试方法

权利要求书

1.一种存储器存储装置，其特征在于，包括：

存储器晶胞阵列，包括多个存储器晶胞，用以存储数据；以及

存储器控制电路，耦接至所述存储器晶胞阵列，用以对所述多个存储器晶胞当中的目标存储器晶胞施加设定信号以及重置信号两者其中之一以产生第一读取电流，然后对所述多个存储器晶胞当中的所述目标存储器晶胞施加设定信号以及重置信号两者中的另外一者以产生第二读取电流，接收所述目标存储器晶胞的所述第一读取电流以及所述第二读取电流，比较所述第一读取电流与第一参考电流以及比较所述第二读取电流与第二参考电流以产生比较结果，并且依据所述比较结果来判断所述目标存储器晶胞是否失败。

2.根据权利要求1所述的存储器存储装置，其特征在于，所述存储器控制电路判断所述目标存储器晶胞的状态是第一状态还是第二状态。

3.根据权利要求2所述的存储器存储装置，其特征在于，若所述目标存储器晶胞的状态是所述第一状态，所述存储器控制电路对所述目标存储器晶胞施加所述设定信号，并且所述目标存储器晶胞从所述第一状态转变为所述第二状态，其中所述第一读取电流具有第一读取电流值，所述第一参考电流具有第一参考电流值，所述存储器控制电路比较所述第一读取电流值与所述第一参考电流值的大小，若所述第一读取电流值小于所述第一参考电流值，所述存储器控制电路判断所述目标存储器晶胞为失败。

4.根据权利要求3所述的存储器存储装置，其特征在于，若所述第一读取电流值大于或等于所述第一参考电流值，所述存储器控制电路判断所述目标存储器晶胞为不失败。

5.根据权利要求3所述的存储器存储装置，其特征在于，若所述第一读取电流值大于或等于所述第一参考电流值，所述存储器控制电路对所述目标存储器晶胞施加所述重置信号，并且所述目标存储器晶胞从所述第二状态转变为所述第一状态，其中所述第二读取电流具有第二读取电流值，所述第二参考电流具有第二参考电流值，所述存储器控制电路比较所述第二读取电流值与所述第二参考电流值的大小，若所述第二读取电流值大于所述第二参考电流值，所述存储器控制电路判断所述目标存储器晶胞为失败，若所述第二读取电流值小于或等于所述第二参考电流值，所述存储器控制电路判断所述目标存储器晶胞为不失败。

6.根据权利要求2所述的存储器存储装置，其特征在于，若所述目标存储器晶胞的状态是所述第二状态，所述存储器控制电路对所述目标存储器晶胞施加所述重置信号，并且所述目标存储器晶胞从所述第二状态转变为所述第一状态，其中所述第一读取电流具有第二读取电流值，所述第一参考电流具有第二参考电流值，所述存储器控制电路比较所述第二读取电流值与所述第二参考电流值的大小，若所述第二读取电流值大于所述第二参考电流值，所述存储器控制电路判断所述目标存储器晶胞为失败。

7.根据权利要求6所述的存储器存储装置，其特征在于，若所述第二读取电流值小于或等于所述第二参考电流值，所述存储器控制电路判断所述目标存储器晶胞为不失败。

8.根据权利要求6所述的存储器存储装置，其特征在于，若所述第二读取电流值小于或等于所述第二参考电流值，所述存储器控制电路对所述目标存储器晶胞施加所述设定信号，并且所述目标存储器晶胞从所述第一状态转变为所述第二状态，其中所述第二读取电流具有第一读取电流值，其中所述第二参考电流具有第一参考电流值，所述存储器控制电路比较所述第一读取电流值与所述第一参考电流值的大小，若所述第一读取电流值小于所述第一参考电流值，所述存储器控制电路判断所述目标存储器晶胞为失败，若所述第一读取电流值大于或等于所述第一参考电流值，所述存储器控制电路判断所述目标存储器晶胞为不失败。