[发明专利]OLED面板的封装方法在审
申请号: | 201710496727.7 | 申请日: | 2017-06-26 |
公开(公告)号: | CN107248550A | 公开(公告)日: | 2017-10-13 |
发明(设计)人: | 李文杰;李金川 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 面板 封装 方法 | ||
技术领域
本发明涉及平板显示技术领域,尤其涉及一种OLED面板的封装方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Display,OLED)显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽、可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点,被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
OLED器件通常包括:基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层及设于电子注入层上的阴极。OLED器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下,通过载流子注入和复合导致发光。具体的,OLED器件通常采用ITO像素电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极,在一定电压驱动下,电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层,电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层,并在发光层中相遇,形成激子并使发光分子激发,后者经过辐射弛豫而发出可见光。但是由于有机材料对水汽和氧气非常敏感,易与水汽或氧气反应,水/氧渗透会大大缩减OLED器件的寿命,为达到商业化对于OLED器件使用寿命和稳定性的要求,OLED器件对于封装效果要求非常高:使用寿命至少在10E4小时,水汽透过率小于10-6g/m2/day,氧气穿透率小于10-5cc/m2/day(1atm)。因此,通过OLED器件的封装提高器件内部的密封性,尽可能的与外部环境隔离,对于OLED器件的稳定发光至关重要,是影响产品良率的关键因素之一。
现有的OLED器件封装方式主要为盖板封装方式,即在封装盖板上涂覆可以紫外(UV)固化的框胶(DAM)或者镭射封装(Laser sealing)的玻璃胶(Frit)为OLED器件提供一个相对密闭的环境,以在一定时间内可以达到良好的水/氧阻隔能力。
然而传统的盖板封装通常需要在盖板和OLED基板之间添加填充物(Filler),一是用来增加显示面板的机械强度,尤其是对于大尺寸的显示面板,二是可以通过分子设计使得Filler具有吸水功能,从而用来提高OLED器件的寿命,三是对于顶发射型的OLED面板,Filler还可用来消除牛顿环的产生。Filler一般为低粘度的有机树脂,含有微量的水分或者溶剂,若直接与OLED器件的阴极接触,便会从阴极上的孔状(pinhole)缺陷渗入到OLED器件内部,从而造成发光区暗点;另外,对于顶发射型的OLED面板,为提高透明阴极的透过率进而改善器件光色,通常会在阴极之上形成一层高折射率的有机薄膜,一般情况下Filler会与该改善光色的有机薄膜在一定温度下发生作用而使显示面板产生mura,所以将Filler与该有机薄膜隔绝很有必要。而解决上述问题的常规方法则是在阴极上采用化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)或者原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD)的方式形成一层保护层或者钝化层(Passivation),通常为氮化硅(SiN)层或者氧化硅(SiO)层等,然而CVD设备及ALD设备这两种设备价格昂贵,并且制膜速率低,致使OLED面板的封装成本增加。
近两年,关于柔性OLED面板封装的探索进行得如火如荼,但是,柔性OLED器件的封装成本会在传统盖板封装的成本上增加1-5倍,柔性OLED显示虽为将来的显示趋势,但是传统盖板封装的OLED面板并不会消失。因此,降低传统盖板封装的成本就成为一个关键。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED面板的封装方法,采用蒸镀的方式在OLED层上形成封装保护层的无机钝化层,从而将封装层与OLED层间隔开,可有效降低OLED面板的封装成本,并且便于操作,设备利用率高。
为实现上述目的,本发明提供一种OLED面板的封装方法,包括如下步骤:
步骤S1、提供基板,在所述基板上形成OLED层;
步骤S2、在所述基板及OLED层上形成封装保护层,所述封装保护层包括至少两层无机钝化层和至少一层有机缓冲层,其中,单层的无机钝化层和单层的有机缓冲层依次交替层叠设置,所述无机钝化层比所述有机缓冲层在层数上多一层,每一无机钝化层均由无机蒸镀材料通过蒸镀的方式制作形成;
步骤S3、在所述基板及封装保护层上制作封装层,所述封装保护层将所述封装层与OLED层间隔开。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择