[发明专利]一种贵金属防氧化膜的真空镀膜方法及贵金属镀膜制品

权利要求书

1.一种贵金属防氧化膜的真空镀膜方法，具体步骤是：

(1)对待镀的贵金属基材进行镀膜前的预清洗处理：

(2)在真空室低真空度的环境下，对待镀的贵金属基材通过离子源放电处理系统进行表面放电处理，该离子源放电处理条件为：真空度为2-10Pa，常温条件下放电处理5-15分钟，以达到活化基材表面的目的；

(3)上述待镀的贵金属基材在离子源放电处理后，关闭离子源放电处理系统，重新抽至本底真空，通入有机硅烷单体和辅助放电气体氩气，采用等离子体化学气相沉积的方法，在高压功率源的作用下，使得有机硅烷单体裂解，在待镀的贵金属基材的表面镀制氧化硅防氧化膜，所述等离子体化学气相沉积方式制备氧化硅薄膜的条件是：真空度为1.0Pa-100Pa，采用的是中频电源或者射频电源进行放电；

(4)关闭放电电源，完成整个防氧化薄膜的制备流程，待真空室恢复大气压后，取出完成防氧化薄膜镀制的贵金属镀膜制品。

2.根据权利要求1所述的贵金属防氧化膜的真空镀膜方法，其特征在于：

上述步骤(1)中所述的镀膜前的预清洗处理为对待镀的贵金属基材进行超声清洗，其依次采用丙酮，酒精，去离子水超声处理，超声时间分别为15分钟。

3.根据权利要求2所述的贵金属防氧化膜的真空镀膜方法，其特征在于：上述离子源放电处理条件的真空度为5Pa。

4.根据权利要求3所述的贵金属防氧化膜的真空镀膜方法，其特征在于：所述等离子体化学气相沉积方式制备氧化硅薄膜时真空度为10Pa。

5.根据权利要求1所述的贵金属防氧化膜的真空镀膜方法，其特征在于：上述步骤(3)中所述的有机硅烷单体为四乙氧基硅烷或六甲基二硅氧烷或者八甲基环四硅氧烷。

6.根据权利要求1所述的贵金属防氧化膜的真空镀膜方法，其特征在于：上述步骤(3)中氧化硅防氧化膜厚度为100-1000nm。

7.根据权利要求1所述的贵金属防氧化膜的真空镀膜方法，其特征在于：所述氧化硅防氧化薄膜的厚度为200nm。

8.一种根据权利要求1至7任一项所述的贵金属防氧化膜的真空镀膜方法所制得的贵金属镀膜制品，其特征在于：包括贵金属基材，以及附着在贵金属基材表面的氧化硅防氧化薄膜。