[发明专利]压环组件和反应腔室在审

申请号：	201710485832.0	申请日：	2017-06-23
公开（公告）号：	CN109119373A	公开（公告）日：	2019-01-01
发明（设计）人：	张君;王春	申请（专利权）人：	北京北方华创微电子装备有限公司
主分类号：	H01L21/687	分类号：	H01L21/687;H01L21/67;H01J37/32
代理公司：	北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112	代理人：	彭瑞欣;姜春咸
地址：	100176 北京***	国省代码：	北京;11
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摘要：
搜索关键词：	刻蚀待加工件上表面压环组件削弱压环反应腔室片内均匀性边缘接触刻蚀环境位置处下表面正投影光阻良率承载制作
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【权利要求书】：

1.一种压环组件，所述压环组件包括压环，所述压环的下表面用于与待加工件上表面的边缘接触，以将所述待加工件固定在承载台上，其特征在于，所述压环组件还包括刻蚀削弱件，所述刻蚀削弱件设置在所述压环的上表面，且所述刻蚀削弱件在所述待加工件上表面的正投影至少有一部分落在所述待加工件上表面内，以降低靠近所述刻蚀削弱件的待加工件上表面的刻蚀速率。

2.根据权利要求1所述的压环组件，其特征在于，所述刻蚀削弱件全部覆盖所述压环的上表面，且所述刻蚀削弱件的边缘与所述压环的边缘对齐。

3.根据权利要求1所述的压环组件，其特征在于，所述刻蚀削弱件和所述压环一体形成。

4.根据权利要求1所述的压环组件，其特征在于，所述刻蚀削弱件的厚度满足下述关系式：

Kt＝(Ht-10)；

其中，所述Kt为所述刻蚀削弱件的厚度，所述Ht为所述压环的下表面至所述刻蚀削弱件的上表面的距离。

5.根据权利要求4任所述的压环组件，其特征在于，100mm≤Ht≤200mm。

6.根据权利要求1至5任意一项所述的压环组件，其特征在于，所述刻蚀削弱件采用含有碳元素的材料制成。

7.根据权利要求6所述的压环组件，其特征在于，所述刻蚀削弱件采用石墨或碳化硅材料制成。

8.根据权利要求1至5任意一项所述的压环组件，其特征在于，所述压环采用陶瓷材料制成。

9.一种反应腔室，包括承载台和压环组件，所述承载台位于所述反应腔室内，用于承载晶片，其特征在于，所述压环组件包括权利要求1至8任意一项所述的压环组件，所述压环的下表面与晶片上表面的边缘接触，以将所述晶片固定在所述承载台上。

10.一种反应腔室，包括承载台、托盘和压环组件，所述承载台位于所述反应腔室内，用于承载托盘，所述托盘用于承载多个晶片，其特征在于，所述压环组件包括权利要求1至8任意一项所述的压环组件，所述压环的下表面与所述托盘上表面的边缘接触，以将所述托盘固定在所述承载台上。

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