[发明专利]OLED微显示器件阳极结构及该阳极结构的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及有机电致发光器件领域，特别涉及OLED微显示器件阳极结构及该阳极结构的制造方法。

背景技术

有机电致发光显示（Organic Light Emitting Display，OLED）由于其自发光、宽视角和响应速度快优点而被誉为继阴极射线管和液晶显示之后的第三代显示技术。在众多OLED显示器产品中，微型显示器近年来开始发展，可应用于头戴式视频播放器、头戴式家庭影院、头戴式虚拟现实模拟器、头戴式游戏机、飞行员头盔系统、单兵作战系统、头戴医用诊断系统。

OLED 微显示器的性能优于目前常见的硅基液晶（Lcos）微显示器，其主要优势有：响应速度极快（<1us），低温特性优秀（工作温度范围－40℃～＋85℃），功耗低，机械性能好，抗震性强，适用于军用或高端应用场合。现有的 OLED 微显示器通常由阳极、阴极以及介于阳极和阴极之间的有机发光层构成。OLED的发光过程及原理是从阳极与阴极分别注入空穴和电子，注入的空穴和电子经有机层的载流子传输层传送至发光中心后复合辐射发光。

中国专利101459226公开了一种顶部发光有机显示器的阳极结构及制造工艺，但是该阳极结构具有多层结构，其结构较为复杂，同时其所采用的Mo，Cr材料在半导体代工厂中通常不使用。因此OLED电极工艺与代工厂工艺不能很好的兼容，为此中国专利CN 104934548 A提出采用Al层上覆盖TiN层的双层阳极结构，可以有效解决OLED电极工艺与代工厂工艺兼容性问题，同时提供较好的OLED器件性能，但Al的特性非常活泼，极易向基板渗透，长期受此影响容易导致器件电压偏高从而影响器件稳定性及寿命。

发明内容

本发明针对现有技术的不足，提供一种有效提高器件的稳定性及寿命；同时可以使OLED电极制作工艺与代工厂工艺有效兼容OLED微显示器件的阳极结构及该阳极结构的制造方法。

本发明通过以下技术手段实现解决上述技术问题的：一种OLED器件的阳极结构，包括OLED微显示阳极层，所述OLED微显示阳极层自下而上依次包括第一TiN层、Al层、第二TiN层；在所述OLED微显示阳极层中设置有阳极隔离柱层，所述阳极隔离柱层贯穿第一TiN层、Al层、第二TiN层。

优选地：所述第一TiN层的厚度在3~25nm；Al层的厚度为100~800nm；第二TiN层的厚度为3~25nm。

优选地：所述阳极隔离柱层厚度与第一TiN层、Al层、第二TiN层厚度总和相同或高于三者的总厚度。

一种制备上述的OLED器件的阳极结构的方法，包括以下步骤：

1）在硅基衬底上，旋涂上i-line的光刻胶，进行曝光显影工序，在光刻胶上实现需要的阳极电极图形，在阳极图形以外的区域覆盖有光刻胶；

2）在步骤1）之后，在图形化的光刻胶上，使用电子束蒸发金属沉积的方法，连续沉积制备金属第一TiN层，Al层，第二TiN层；

3）通过金属掀金的方法将光刻胶上方的金属进行剥离；

4）将进行金属剥离后的晶圆使用有机溶剂对光刻胶进行剥离去胶，形成金属图形化电极层；

5）在步骤4）制作完成之后，使用化学汽相沉积方法，沉积一层SiO₂层；

6）在步骤5）制作完成之后，旋涂上i-line的光刻胶，进行曝光显影工序，在光刻胶上实现需要的隔离柱区域的图形，在隔离柱区域覆盖有光刻胶；

7）将完成步骤6）之后的晶圆进行泡BOE溶液对SiO₂层进行蚀刻，将没有光刻胶保护的隔离柱区域以外区域的SiO₂进行去除，从而留下隔离柱区域的SiO₂，从而完成隔离柱的制作；

8）在完成步骤7）之后，使用有机溶剂对光刻胶进行剥离去胶，形成OLED微显示器件阳极结构。

优选地，所述步骤5）中所述SiO₂层厚度与第一TiN层、Al层、第二TiN层厚度总和相同或高于三者的总厚度。

一种制备上述的OLED器件的阳极结构的方法，包括以下步骤：

1）在硅基衬底上使用溅射镀膜金属沉积的办法依次连续蒸镀第一TiN层、Al层、第二TiN层；

2）在步骤1）中制备完金属薄膜后，在薄膜上旋涂上 i-line 的光刻胶，进行曝光，显影光刻工序，在光刻胶上实现所需的阳极电极图形；然后使用干法刻蚀方法，对金属薄膜进行刻蚀，最后再将光刻胶去除，实现金属薄膜的图形化；