[发明专利]OLED微显示器件阳极结构及该阳极结构的制造方法

权利要求书

1.一种OLED器件的阳极结构，包括OLED微显示阳极层；其特征在于：所述OLED微显示阳极层自下而上依次包括第一TiN层、Al层、第二TiN层；在所述OLED微显示阳极层中设置有阳极隔离柱层。

2.根据权利要求1所述的OLED器件的阳极结构，其特征在于：所述第一TiN层的厚度在3~25nm；Al层的厚度为100~800nm；第二TiN层的厚度为3~25nm。

3.根据权利要求1所述的OLED器件的阳极结构，其特征在于：所述阳极隔离柱层厚度与第一TiN层、Al层、第二TiN层厚度总和相同或高于三者的总厚度。

4.一种制备如权利要求1-3任一项所述的OLED器件的阳极结构的方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）在硅基衬底上，旋涂上i-line的光刻胶，进行曝光显影工序，在光刻胶上实现需要的阳极电极图形，在阳极图形以外的区域覆盖有光刻胶；

2）在步骤1）之后，在图形化的光刻胶上，使用电子束蒸发金属沉积的方法，连续沉积制备金属第一TiN层，Al层，第二TiN层；

3）通过金属掀金的方法将光刻胶上方的金属进行剥离；

4）将进行金属剥离后的晶圆使用有机溶剂对光刻胶进行剥离去胶，形成金属图形化电极层；

5）在步骤4）制作完成之后，使用化学汽相沉积方法，沉积一层SiO₂层；

6）在步骤5）制作完成之后，旋涂上i-line的光刻胶，进行曝光显影工序，在光刻胶上实现需要的隔离柱区域的图形，在隔离柱区域覆盖有光刻胶；

7）将完成步骤6）之后的晶圆进行泡BOE溶液对SiO₂层进行蚀刻，将没有光刻胶保护的隔离柱区域以外区域的SiO₂进行去除，从而留下隔离柱区域的SiO₂，从而完成隔离柱的制作；

8）在完成步骤7）之后，使用有机溶剂对光刻胶进行剥离去胶，形成OLED微显示器件阳极结构。

5.一种制备如权利要求4所述的OLED器件的阳极结构的方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）在硅基衬底上使用溅射镀膜金属沉积的办法依次连续蒸镀第一TiN层、Al层、第二TiN层；

2）在步骤1）中制备完金属薄膜后，在薄膜上旋涂上 i-line 的光刻胶，进行曝光，显影光刻工序，在光刻胶上实现所需的阳极电极图形；然后使用干法刻蚀方法，对金属薄膜进行刻蚀，最后再将光刻胶去除，实现金属薄膜的图形化；

3）在步骤2）制作完成之后，使用化学汽相沉积方法，沉积一层SiO₂层；

4）在步骤3）之后，对背板顶部的 SiO₂层进行CMP工艺研磨抛光，直到露出阳极层停止。

6.一种制备如权利要求1-3任一项所述的OLED器件的阳极结构的方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）在硅基衬底上使用溅射镀膜金属沉积的办法依次连续蒸镀第一TiN层、Al层、第二TiN层；

2）在步骤1）中制备完金属薄膜后，在薄膜上旋涂上 i-line 的光刻胶，进行曝光，显影光刻工序，在光刻胶上实现需要的阳极电极图形；然后使用干法刻蚀方法，对金属薄膜进行刻蚀，最后再将光刻胶去除，实现金属薄膜的图形化；

3）在步骤2）制作完成之后，使用旋涂方法制备有机聚合物材料，如聚酰亚胺、 光刻胶材料，形成阳极隔离柱层；

4）在步骤（3）之后，对有机聚合物材料层进行曝光显影处理，暴露出第二 TiN层。

7.根据权利要求6所述的制备OLED器件的阳极结构的方法，其特征在于，所述步骤3）中的机聚合物材料包括聚酰亚胺或者光刻胶材料。