[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质

说明书

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。其目的在于，降低排气系统的维护频率。半导体器件的制造方法具有通过将包含下述工序的循环进行规定次数从而在衬底上形成膜的工序：向处理室内的衬底供给原料并经第一排气系统排气的工序、和向处理室内的衬底供给反应体并经第二排气系统排气的工序，在形成膜的工序中，当原料不流过第一排气系统内时，经设置于第一排气系统的供给端口向第一排气系统内直接供给失活体，失活体为不同于反应体的物质。通过本发明，能够降低排气系统的维护频率。

技术领域

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。

背景技术

作为半导体器件的制造工序的一个工序，有进行包括向室内的衬底供给原料、反应体并经排气系统排气的工序的成膜处理。通过进行成膜处理而在排气系统内沉积了规定量的附着物时，在规定的时机进行排气系统的维护(例如，参见专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-069844号公报

发明内容

发明所要解决的问题

本发明的目的在于，提供一种能够降低排气系统的维护频率的技术。

用于解决问题的手段

通过本发明的一个方式，提供一种技术，具有通过将包含下述工序的循环进行规定次数从而在衬底上形成膜的工序：向处理室内的衬底供给原料并经第一排气系统排气的工序、和向所述处理室内的所述衬底供给反应体并经第二排气系统排气的工序，在形成所述膜的工序中，当所述原料不流过所述第一排气系统内时，经设置于所述第一排气系统的供给端口向所述第一排气系统内直接供给失活体，所述失活体为不同于所述反应体的物质。

发明效果

通过本发明，能够降低排气系统的维护频率。

附图说明

图1是本发明的一个实施方式中优选使用的衬底处理装置的立式处理炉的概略构成图，并且是以纵剖面图表示处理炉部分的图。

图2是本发明的一个实施方式中优选使用的衬底处理装置的立式处理炉的概略构成图，并且是以图1的A-A线剖面图表示处理炉部分的图。

图3是本发明的一个实施方式中优选使用的衬底处理装置的控制器的概略构成图，并且是以框图表示控制器的控制系统的图。

图4是表示本发明的一个实施方式中的处理室内及排气系统内的气体的流动的顺序图。

图5是表示本发明的一个实施方式中的排气系统的动作的图。

图6是本发明的其他实施方式中优选使用的衬底处理装置的立式处理炉的概略构成图，并且是以纵剖面图表示处理炉部分的图。

图7是表示本发明的其他实施方式中的处理室内及排气系统内的气体的流动的顺序图。

图8是表示本发明的其他实施方式中的排气系统的动作的图。

附图标记说明

200 晶片(衬底)

201 处理室

261a、262a 供给端口

具体实施方式

<本发明的一个实施方式>

以下，针对本发明的一实施方式，使用图1～图3进行说明。

(1)衬底处理装置的构成