[发明专利]一种大面积非层状结构NiSe纳米薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201710467722.1 | 申请日： | 2017-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN109097742A | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 吕青锋;金钟镐 | 申请（专利权）人： | 宁波菲利特水处理科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/30 | 分类号： | C23C14/30;C23C14/06;C23C14/58;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315480 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米薄膜 制备 层状结构 层状结构材料 发明制备工艺 固相反应法 光电探测器 纳米晶薄膜 晶粒 传统平面 个数量级 工艺兼容 光探测器 光电流 晶界 构筑 生长 | ||
【权利要求书】：
1.一种大面积非层状结构NiSe纳米薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)NiSe纳米薄膜的制备：选择厚度为50 μm、纯度为99.99%的Ni箔在通有10 sccm H2 和20sccm Ar 的低压气氛中，450-550 ℃退火25-35 min，去除Ni箔表面的氧化物；退火完 之后，利用电子束蒸发的方法在Ni箔表面沉积ZnSe薄膜，在整个沉积过程中，真空度保持在 1×10-4-3×10-4 Pa；随后将ZnSe/Ni箔在1.5×10-4-2.5×10-4 Pa的真空度下650-750 ℃退 火25-35 min，得到NiSe纳米膜；(2) NiSe纳米薄膜的转移：在50 μm厚的Ni箔表面得到的NiSe纳米薄膜上旋涂浓度为 80-120 mg/ml PMMA，旋涂条件为：先在400-600 r/min的转速下匀胶甩胶5-7 s，然后在 1500-2500 r/min的转速下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波菲利特水处理科技有限公司，未经宁波菲利特水处理科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710467722.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
