[发明专利]一种基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法

说明书

本发明公开一种基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，其中，方法包括步骤：预先使器件的金属电极表面与吸附粒子接触；将所述金属电极放入HHIC反应器中并通入H₂，所述H₂电离后形成H等离子，通过所述H等离子使金属电极上的金属粒子与吸附粒子发生交联，在所述金属电极表面形成一层封装薄膜层；通过本发明方法可以极大地提高封装薄膜的致密性，减小封装薄膜内部的空隙和水氧通过途径，提升单层封装薄膜的水氧阻隔效果，从而达到保护器件的目的，延长器件的使用寿命。

技术领域

本发明涉及器件封装技术领域，尤其涉及一种基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法。

背景技术

半导体量子点（Quantum dot, QDs）具有荧光量子效率高、可见光波段发光可调、色域覆盖度宽广等特点。以量子点为发光材料的发光二极管被称为量子点发光二极管（Quantum dot light-emitting diode, QLED）器件，其具有色彩饱和、能效更高、色温更佳、寿命长等优点，有望成为下一代固态照明和平板显示的主流技术。

QLED器件在制备完各种功能层和量子点发光层后，还需对其进行薄膜封装处理；由于封装薄膜在微观上不是致密的，因此需要采用多层不同材料的薄膜堆叠来提高封装薄膜的水氧阻隔效果；然而，简单的通过多层薄膜堆叠并不能完全去除薄膜不致密导致的空洞，其水氧阻隔效果仍较差，并且多层薄膜之间的应力阻碍了QLED器件的可挠性等。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，旨在解决现有器件封装工艺水氧阻隔效果差的问题。

本发明的技术方案如下：

一种基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，其中，包括步骤：

A、预先使器件的金属电极表面与吸附粒子接触；

B、将所述金属电极放入HHIC反应器中并通入H₂，所述H₂电离后形成H等离子，通过所述H等离子使金属电极上的金属粒子与吸附粒子发生交联，在所述金属电极表面形成一层封装薄膜层。

所述的基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，其中，所述吸附粒子为含氢粒子。

所述的基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，其中，所述吸附粒子为H₂O、CH_4、NH₃中的一种或多种。

所述的基于与金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，其中，所述金属电极的材料为Al、Ag、Mg、Au、Pt、Mo、Ni、Cu中的一种或多种。

所述的基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，其中，所述H等离子的能量为1-100eV。

所述的基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，其中，所述H等离子的能量为20-60eV。

所述的基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，其中，所述交联反应时间均为1-30min。

所述的基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，其中，所述金属电极的厚度为5-100nm。

所述的基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，其中，所述金属电极的厚度为10-60nm。

所述的基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，其中，所述器件为QLED器件。