[发明专利]一种基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法有效
| 申请号： | 201710465232.8 | 申请日： | 2017-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN109148733B | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 向超宇;钱磊;曹蔚然;杨一行 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/50;H01L51/52 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 金属 粒子 吸附 交联 器件 封装 方法 | ||
1.一种基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，其特征在于，包括步骤：
A、预先使器件的金属电极表面与吸附粒子接触；
B、将所述金属电极放入HHIC反应器中并通入H2，所述H2电离后形成H等离子，通过所述H等离子使金属电极表层的金属粒子与吸附粒子、吸附粒子与吸附粒子发生交联，在所述金属电极表面形成一层封装薄膜层；
所述吸附粒子为含氢粒子；
所述含氢粒子为H2O、NH3中的一种或两种；
所述交联反应时间为1-30min。
2.根据权利要求1所述的基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，其特征在于，所述金属电极的材料为Al、Ag、Mg、Au、Pt、Mo、Ni、Cu中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，其特征在于，所述H等离子的能量为1-100eV。
4.根据权利要求1所述的基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，其特征在于，所述H等离子的能量为20-60eV。
5.根据权利要求1所述的基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，其特征在于，所述金属电极的厚度为5-100nm。
6.根据权利要求1所述的基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，其特征在于，所述金属电极的厚度为10-60nm。
7.根据权利要求1所述的基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，其特征在于，所述器件为QLED器件。
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