[发明专利]薄膜晶体管及制备方法、显示基板及制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制备方法，包括：

在衬底基板上形成有源层；

在所述有源层上方形成栅极，该栅极与所述有源层绝缘；

以栅极为掩模对所述有源层进行第一次掺杂；

在所述栅极上方形成金属层，该金属层与所述栅极绝缘并具有突出部，所述栅极在所述衬底基板上的正投影为第一投影，所述金属层在所述衬底基板上的正投影为第二投影，在所述金属层的所述突出部对应的区域处所述第二投影突出于所述第一投影；以及

以所述金属层为掩模对所述有源层进行第二次掺杂；

所述有源层在所述衬底基板上的投影为第三投影，除所述有源层的要被所述第二次掺杂进行掺杂的部分之外所述第二投影和所述第三投影重合，并且所述第二投影和所述第三投影均为S形。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其中，除所述金属层的所述突出部所对应的区域之外所述第一投影与所述第二投影重合。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述第一投影位于所述第二投影的内侧。

4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其中，

在所述栅极和所述金属层之间具有层间绝缘层，并且

所述方法还包括形成过孔，该过孔贯穿所述金属层和所述层间绝缘层以露出所述栅极的一部分。

5.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其中，

所述第一次掺杂的掺杂类型与所述第二次掺杂的类型相同；

所述有源层包括沟道区、第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区位于所述沟道区和所述第二掺杂区之间；并且

所述沟道区在所述第一次掺杂和所述第二次掺杂中均未被掺杂，所述第一掺杂区在所述第一次掺杂中被掺杂，所述第二掺杂区在所述第一次掺杂和所述第二次掺杂两者中被掺杂。

6.根据权利要求5所述的制备方法，还包括形成源电极和漏电极，所述源电极与所述第二掺杂区连接。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其中，所述薄膜晶体管用于显示基板，并且所述金属层与所述源电极连接。

8.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其中，所述第一次掺杂的掺杂浓度小于所述第二次掺杂的掺杂浓度。

9.一种显示基板的制备方法，包括：

采用根据权利要求1-8任一项所述的制备方法制作薄膜晶体管；以及

制作发光二极管，

其中，所述薄膜晶体管的漏电极连接到发光二极管，所述薄膜晶体管的源电极以及所述金属层连接到电源线。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其中，在所述栅极和所述金属层之间具有层间绝缘层，所述栅极、所述层间绝缘层和所述金属层构成电容。

11.一种薄膜晶体管，包括：

有源层，形成在衬底基板上；

栅极，形成在所述有源层上方，该栅极与所述有源层绝缘；以及

金属层，形成在所述栅极上方，该金属层与所述栅极绝缘并具有突出部，所述栅极在所述衬底基板上的正投影为第一投影，所述金属层在所述衬底基板上的正投影为第二投影，在所述金属层的所述突出部对应的区域处所述第二投影突出于所述第一投影，

其中，所述有源层包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区的掺杂浓度小于所述第二掺杂区的掺杂浓度；

所述有源层在所述衬底基板上的投影为第三投影，除所述有源层的所述第二掺杂区之外所述第二投影和所述第三投影重合，并且所述第二投影和所述第三投影均为S形。

12.一种显示基板，包括：如权利要求11所述的薄膜晶体管，以及发光二极管，

其中，所述薄膜晶体管的漏电极连接到发光二极管，所述薄膜晶体管的源电极以及所述金属层连接到电源线。