[发明专利]一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201710447622.2 | 申请日： | 2017-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN107170832A | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 宁洪龙;刘贤哲;姚日晖;李晓庆;张啸尘;吴为敬;徐苗;王磊;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/443;H01L21/477 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人： | 罗啸秋 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于包括如下制备步骤：
(1)在玻璃基板上直流磁控溅射Al:Nd薄膜作为栅极，然后在Al:Nd薄膜栅极表面氧化生长栅极绝缘层AlOx:Nd；
(2)采用射频磁控溅射在栅绝缘层上沉积氧化物半导体薄膜，作为有源层，氧化物半导体薄膜厚度为5～30nm；
(3)对步骤(2)所得器件在350℃～450℃空气中进行退火处理；
(4)利用掩模制作技术在STO薄膜上直流磁控溅射制备源/漏电极Mo，并在源/漏电极与有源层之间自生成MoOx中间氧化层，得到得到所述氧化物薄膜晶体管。
2.根据权利要求1所述的一种氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：步骤(1)中所述Al:Nd薄膜的厚度为100～300nm；所述栅极绝缘层AlOx:Nd的厚度为200～400nm。
3.根据权利要求1所述的一种氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：步骤(1)中所述Al:Nd的掺杂浓度为1～5at％。
4.根据权利要求1所述的一种氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：所述的氧化物半导体薄膜的材料为STO-5。
5.一种氧化物薄膜晶体管，其特征在于：通过权利要求1～4任一项所述的方法制备得到。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学，未经华南理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710447622.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于对塑料片材刻印商标的印字装置
- 下一篇：一种改善橡胶粘合的工艺方法和工装
- 同类专利
- 专利分类
