[发明专利]一种多元稀土六硼化物(La0.6CexPr0.4-x)B6单晶体的制备方法有效
申请号: | 201710441703.1 | 申请日: | 2017-06-13 |
公开(公告)号: | CN107245758B | 公开(公告)日: | 2022-04-05 |
发明(设计)人: | 张久兴;王衍;杨新宇;王盼;宁舒羽;胡可;李志 | 申请(专利权)人: | 合肥工业大学 |
主分类号: | C30B29/10 | 分类号: | C30B29/10;C30B28/02;C30B13/00 |
代理公司: | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人: | 卢敏 |
地址: | 230009 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多元 稀土 六硼化物 la0 cexpr0 b6 单晶体 制备 方法 | ||
1.一种多元稀土六硼化物(La0.6CexPr0.4-x)B6单晶体的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)按照0.6:x:0.4-x的摩尔比,0.1≤x≤0.3,将LaB6、CeB6、PrB6粉末高能球磨均匀后放入石墨模具中,然后将石墨模具放入放电等离子烧结炉的腔体内,在真空度5-10Pa下进行烧结,工艺参数设置为:烧结温度1600-1700℃,烧结压力40-50MPa,保温时间5-10min,升温速率100-110℃/min;烧结完成后随炉冷却至室温,取出,得到多晶样品;
(2)将所述多晶样品切割成多晶棒,将两根多晶棒分别作为上料棒和下料棒,加入到光学区熔炉中进行一次区熔,上、下料棒反向旋转,转动速度为15-30rpm、一次区熔速度为20-30mm/h;整个晶体生长过程在密闭的石英管中进行,石英管内通入氩气气流;
(3)以一次区熔的产物作为上料棒、以LaB6单晶作为下料棒,加入到光学区熔炉中进行二次区熔,上、下料棒反向旋转,转动速度为15-30rpm、二次区熔速度为5-15mm/h;整个晶体生长过程在密闭的石英管中进行,石英管内通入氩气气流;二次区熔后即获得(La0.6CexPr0.4-x)B6单晶体。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所用的LaB6、CeB6、PrB6粉末的纯度均不低于99.9%,粒度为200-400目。
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