[发明专利]用于粒子清理的设备

说明书

技术领域

本揭露涉及一种用于粒子清理的设备。

背景技术

硅芯片或晶片的制造通常涉及许多的工艺步骤，例如，表面条件化、薄膜沉积、光刻、膜图案化、蚀刻等。在大部分的所述工艺中，可在晶片表面上发现残留粒子或是外来污染物。然而，必须维持晶片表面的清洁，以及避免污染与破坏以确保高产率。随着产业趋势持续专注于缩小装置尺寸，装置的线宽缩小，因而装置总数增加。由于粒子尺寸相较于装置的缩小特征尺寸被视为相对大，因而留在半导体芯片上的不希望有的粒子的影响可更为显著。因此，需要有效率的粒子清理结构，用以维持晶片的表面性质。

发明内容

本揭露的一些实施例提供一种粒子清理设备，包括声波产生器，经配置以施加声波到所述声波产生器外部的多个粒子；以及去除模块，经配置以去除所述被施加的粒子。

附图说明

为协助读者达到最佳理解效果，建议在阅读本揭露时同时参考附件图示和其详细文字叙述说明。请注意为遵循业界标准作法，本专利说明书中的图式不一定按照正确的比例绘制。在某些图式中，尺寸可能刻意放大或缩小，以协助读者清楚了解其中的讨论内容。

图1A与图1B是根据本揭露一些实施例说明半导体制造系统的示意图。

图2A与图2B是根据本揭露一些实施例说明去除模块的示意图。

图3A与图3B是根据本揭露一些实施例说明半导体制造系统的示意图。

图4A与图4B是根据本揭露一些实施例说明半导体制造系统的示意图。

图5A到图5C是根据本揭露一些实施例说明粒子清理设备的示意图。

图6A是根据本揭露一些实施例说明粒子清理设备的示意图。

具体实施方式

本揭露提供了数个不同的实施方法或实施例，可用于实现本发明实施例的不同特征。为简化说明起见，本揭露也同时描述了特定零组件与布置的范例。请注意提供这些特定范例的目的仅在于示范，而非予以任何限制。举例来说，在以下说明第一特征如何在第二特征上或上方的叙述中，可能会包括某些实施例，其中第一特征与第二特征为直接接触，而叙述中也可能包括其它不同实施例，其中第一特征与第二特征中间另有其它特征，以致于第一特征与第二特征并不直接接触。此外，本揭露中的各种范例可能使用重复的参考数字和/或文字注记，以使文件更加简单化和明确，这些重复的参考数字与注记不代表不同的实施例与/或配置之间的关联性。

另外，本揭露在使用与空间相关的叙述词汇，如“在…之下”、“低”、“下”、“上方”、“的上”、“下”、“顶”、“底”和类似词汇时，为便于叙述，其用法均在于描述图示中一个元件或特征与另一个(或多个)元件或特征的相对关系。除了图示中所显示的角度方向外，这些空间相对词汇也用来描述所述装置在使用中以及操作时的可能角度和方向。所述装置的角度方向可能不同(旋转90度或其它方位)，而在本揭露所使用的这些空间相关叙述可以同样方式加以解释。

在本揭露中，提供粒子清理设备与粒子清理系统。位于抛光台或工件的表面上的粒子通过施加在所述表面上的声波而震动或因而移动。此外，去除力去除粒子或包含所述粒子的流体，所述去除力例如抽吸力。有效地，所述声波与去除力合作防止所述粒子附接或留在所述表面上。如果粒子未完全清除，那么所提供的机制也可排除粒子再次沉积于所述表面上的问题。

图1A是根据本揭露一些实施例说明半导体制造系统10的示意图。在实施例中，半导体制造系统10用于抛光操作中，例如化学机械抛光(chemical mechanical polishing，CMP)。半导体制造系统10包括平台112以及位于所述平台112的表面112A上方的垫调节器(pad conditioner)108。半导体衬底102被提供且位于所述平台112的表面112A上。

在一些实施例中，半导体衬底102为半导体芯片或晶片。半导体衬底102包含元素半导体，例如，结晶的硅或锗、多晶硅、或无定形结构；化合物半导体，包含砷化镓、磷化镓、碳化硅、磷化铟、砷化铟、与/或锑化铟；合金半导体，包含SiGe、GaAsP、AlGaAs、AlinAs、GaInAs、GaInP、与/或GaInAsP；任何其它合适的材料；以及/或其组合。再者，半导体衬底102可为绝缘体上半导体，例如，绝缘体上硅(silicon-on-insulator，SOI)或薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)。在一些范例中，半导体衬底102包含掺杂的外延层或包埋层。在其它范例中，半导体衬底102具有多层化合物结构。