[发明专利]一种金刚石半导体反冲质子望远镜

权利要求书

1.一种金刚石半导体反冲质子望远镜，其特征在于，包括：

真空腔室(5)，所述真空腔室(5)的其中一个端面上设置有中子进入口；

位于所述真空腔室(5)内，且沿所述真空腔室(5)设置有中子进入口的端面朝向所述真空腔室(5)内部的方向上依次设置的聚乙烯转换膜(2)、穿透型探测器(3)和全耗尽探测器(4)；

位于所述真空腔室(5)外侧的电子学(6)，所述电子学(6)分别与所述穿透型探测器(3)、所述全耗尽探测器(4)相连；

其中，所述全耗尽探测器(4)为金刚石探测器，所述穿透型探测器(3)与所述聚乙烯转换膜(2)的夹角为0°，所述金刚石探测器与所述聚乙烯转换膜(2)的夹角为0°，且所述金刚石探测器设置在0°方向以获取最大反冲质子能量；所述金刚石探测器的信号输入到所述电子学(6)的多道分析器中，通过脉冲幅度甄别技术设置阈值将中子和聚乙烯发生反冲的信号与中子和金刚石探测器发生反应的信号甄别开。

2.根据权利要求1所述的金刚石半导体反冲质子望远镜，其特征在于，所述聚乙烯转换膜(2)与所述穿透型探测器(3)和所述全耗尽探测器(4)相互平行设置。

3.根据权利要求2所述的金刚石半导体反冲质子望远镜，其特征在于，所述穿透型探测器(3)为一个。

4.根据权利要求2所述的金刚石半导体反冲质子望远镜，其特征在于，所述穿透型探测器(3)为两个，包括第一穿透型探测器和第二穿透型探测器，所述第一穿透型探测器和所述第二穿透型探测器相对设置，且位于所述聚乙烯转换膜(2)和全耗尽探测器(4)之间。

5.根据权利要求1-4任意一项所述的金刚石半导体反冲质子望远镜，其特征在于，所述穿透型探测器为穿透型硅探测器。

6.根据权利要求5所述的金刚石半导体反冲质子望远镜，其特征在于，穿透型硅探测器为金硅面垒半导体探测器。

7.根据权利要求6所述的金刚石半导体反冲质子望远镜，其特征在于，所述真空腔室(5)的长度为10cm～30cm，包括端点值。