[发明专利]对非易失性存储器装置进行编程的方法

权利要求书

1.一种对三维存储器单元阵列进行编程的方法，所述三维存储器单元阵列包括多个存储器单元串，每个存储器单元串在与基底垂直的方向上延伸，每个存储器单元串的上端与多条位线中的一条位线连接，每个存储器单元串的下端与共源极线连接，每个存储器单元串包括多个存储器单元，所述多个存储器单元中的每个存储器单元通过将编程电压施加到与所述多个存储器单元中的被选择的存储器单元相连接的被选择的字线来编程，所述方法包括：

将第一编程电压施加到被选择的字线；

当施加第一编程电压时使共源极线电浮置；

将第一验证电压施加到被选择的字线以确定被选择的存储器单元是否被编程通过；

当施加第一验证电压时将参考电压施加到共源极线。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括：

在将第一验证电压施加到被选择的字线之后，将第二编程电压施加到被选择的字线；

当施加第二编程电压时使共源极线电浮置；

将第二验证电压施加到被选择的字线以确定被选择的存储器单元是否被编程通过；

当施加第二验证电压时将参考电压施加到共源极线，其中，

第二编程电压比第一编程电压大。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，参考电压是地电压。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括：

将地电压施加到所述多条位线中的连接到所述多个存储器单元串中的被选择的存储器单元串的位线；

在向被选择的字线施加第一编程电压时，将升压电压施加到所述多条位线中的连接到所述多个存储器单元串中的未选择的存储器单元串的位线。

5.一种对三维存储器单元阵列进行编程的方法，所述三维存储器单元阵列包括多个存储器单元串，每个存储器单元串在与基底垂直的方向上延伸，每个存储器单元串的上端与多条位线中的一条位线连接，每个存储器单元串的下端与共源极线连接，每个存储器单元串包括多个存储器单元，所述多个存储器单元中的每个存储器单元通过将编程电压施加到与所述多个存储器单元中的被选择的存储器单元相连接的被选择的字线来编程，所述方法包括：

执行第一编程循环，第一编程循环包括：将第一编程电压施加到被选择的字线；当施加第一编程电压时使具有第一共源极线电压的共源极线电浮置；将第一验证电压施加到被选择的字线以确定被选择的存储器单元是否被编程通过；当施加第一验证电压时将参考电压施加到共源极线；

执行第二编程循环，第二编程循环包括：将第二编程电压施加到被选择的字线；当施加第二编程电压时将第二共源极线电压施加到共源极线；将第二验证电压施加到被选择的字线以确定被选择的存储器单元是否被编程通过；当施加第二验证电压时将参考电压施加到共源极线，其中，

第二编程电压比第一编程电压大。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，第二共源极线电压高于地电压。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述方法还包括感测温度以及响应于感测到的温度调整第二共源极线电压的电平。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，第二共源极线电压被调整为在更高的温度下具有更大的值。

9.根据权利要求5所述的方法，其中，所述方法还包括：

将地电压施加到所述多条位线中的连接到所述多个存储器单元串中的被选择的存储器单元串的位线；

当向被选择的字线施加第一编程电压时，将升压电压施加到所述多条位线中的连接到所述多个存储器单元串中的被选择的存储器单元串的位线。

10.根据权利要求5所述的方法，其中，所述方法还包括：

存储与禁止单元比率有关的信息，

当将第一编程电压和第二编程电压施加到被选择的字线时，根据禁止单元比率来改变第二共源极线电压。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，禁止单元比率由存储器供应商在生产阶段中确定。