[发明专利]固态成像器件以及制造方法和电子设备有效
申请号: | 201710403089.X | 申请日: | 2014-03-11 |
公开(公告)号: | CN107146801B | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | 世古裕亮 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 葛青 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 器件 以及 制造 方法 电子设备 | ||
固态成像器件以及制造方法和电子设备。该固态成像器件包括:基板,其中基板包括:根据像素单元的入射光的光量产生电荷的光电转换部;蓄积部,分割该像素单元在该光电转换部中产生的电荷且蓄积该电荷;第一元件隔离部,形成在该像素单元的该光电转换部的边界处;以及第二元件隔离部,形成在该像素的分割单元的该蓄积部的边界处。
本申请是申请日为2014年3月11日、申请号为201410087647.2且发明名称为“固态成像器件以及制造方法和电子设备”的发明申请的分案申请。
技术领域
本公开涉及固态成像器件以及制造方法和电子设备,特别是涉及能够防止传输下降同时抑制灵敏度降低的固态成像器件以及制造方法和电子设备。
背景技术
近年来,在固态成像器件中,已经考虑通过加大像素尺寸而扩大光接收表面的面积,以便实现高灵敏度。然而,在像素尺寸增加时,传输长度变长,因此传输效率下降。
因此,公开了这样的方法,通过分割像素且相对于每个分割的像素设置传输晶体管使传输长度缩短,并且能防止传输效率下降以及降低电压(例如,见日本专利特开第2011-239070号公报)。
发明内容
然而,在上述的方法中,因为必须在分割的像素之间形成隔离分割像素的元件隔离部,所以光敏二极管的开口面积减小,并且灵敏度降低。
本公开考虑了这样的情形而展开,因此能防止传输下降同时抑制灵敏度降低。
根据本公开的第一实施例,所提供的固态成像器件和电子设备的每一个都包括:基板,其中该基板包括:根据像素单元的入射光的光量产生电荷的光电转换部;蓄积部,将该像素单元在该光电转换部中产生的电荷进行分割且将该电荷蓄积;第一元件隔离部,形成在该像素单元的该光电转换部的边界处;以及第二元件隔离部,形成在该像素的分割单元的该蓄积部的边界处。
在本公开的第一实施例中,光电转换部根据像素单元的入射光的光量产生电荷,蓄积部分割光电转换部中产生的像素单元的电荷且蓄积该电荷,第一元件隔离部形成在像素单元的光电转换部的边界处,并且第二元件隔离部形成在像素的分割单元的蓄积部的边界处。
根据本公开的第二实施例,所提供的固态成像器件的用于制造设备的制造方法包括:在基板上形成光电转换部,该光电转换部根据像素单元的入射光的光量产生电荷;在该基板上形成蓄积部,该蓄积部将该像素单元在该光电转换部中产生的电荷分割且将该电荷蓄积;在该基板上形成第一元件隔离部,该第一元件隔离部形成在该像素单元的该光电转换部的边界处;以及在该基板上形成第二元件隔离部,该第二元件隔离部形成在该像素的分割单元的该蓄积部的边界处。
在本公开的第二实施例中,根据像素单元的入射光的光量产生电荷的光电转换部形成在基板上,分割光电转换部中产生的像素单元的电荷且蓄积该电荷的蓄积部形成在基板上,形成在像素单元的光电转换部的边界处的第一元件隔离部形成在基板上,并且形成在像素的分割单元的蓄积部的边界处的第二元件隔离部形成在基板上。
根据本公开的第三实施例,所提供的固态成像器件包括:基板,具有作为光入射侧的第一侧和与第一侧相对的第二侧;多个像素,其布置在所述基板中,并且包括第一像素和在横截面视图中与所述第一像素相邻布置的第二像素;多个分割区域,其布置在所述基板中,并且包括第一分割区域、第二分割区域和第三分割区域;和滤色器,其布置在所述基板的所述第一侧上,并且包括对应于第一颜色的第一滤色器和对应于不同于所述第一颜色的第二颜色的第二滤色器。在横截面视图中,第一像素包括由第一分割区域分割的第一分割像素和第二分割像素,第二像素包括由第二分割区域分割的第三分割像素和第四分割像素,第一像素和第二像素被第三分割区域分割,第一滤色器至少部分地布置在第一分割像素和第二分割像素的上方,第二滤色器至少部分地布置在第三分割像素和第四分割像素的上方,并且第一分割区域的长度与第三分割区域的长度不同。
根据本公开的第一实施例,能够防止传输的降低且抑制灵敏度的下降。
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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