[发明专利]一种单面发电异质结太阳能电池的制作方法

权利要求书

1.一种单面发电异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：

硅片正、背面制绒，形成金字塔绒面；

在制绒后的硅片正、背面沉积非晶硅层；

在沉积非晶硅层后的硅片正、背面沉积透明导电薄膜层；

在沉积透明导电薄膜层后的硅片背面沉积金属叠层；

在沉积金属叠层后的硅片正、背面形成银浆电极栅线。

2.根据权利要求1所述一种单面发电异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述硅片正、背面制绒形成的金字塔绒面宽度为2-15um，高度为2-13um。

3.根据权利要求1所述一种单面发电异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述沉积非晶硅层为通过化学气相沉积技术在制绒后的硅片正面依次沉积第一本征非晶硅薄膜层、第一掺杂非晶硅薄膜层；在制绒后的硅片背面依次沉积第二本征非晶硅薄膜层、第二掺杂非晶硅薄膜层。

4.根据权利要求3所述一种单面发电异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述第一掺杂非晶硅薄膜层为n-型非晶硅薄膜层时，所述第二掺杂非晶硅薄膜层则为p-型非晶硅薄膜层；所述第一掺杂非晶硅薄膜层为p-型非晶硅薄膜层时，所述第二掺杂非晶硅薄膜层则为n-型非晶硅薄膜层。

5.根据权利要求3所述一种单面发电异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述第一本征非晶硅薄膜层、第一参杂非晶硅薄膜层、第二本征非晶硅薄膜层和第二参杂非晶硅薄膜层通过等离子体增强化学气相沉积，沉积厚度均为3～10nm。

6.根据权利要求1所述一种单面发电异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述透明导电薄膜层为ITO层或者掺杂其它元素的氧化铟层，厚度为30～200nm。

7.根据权利要求1所述一种单面发电异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述金属叠层包含金属导电层及金属保护层，其中金属导电层为铜、AL、AG中的至少一种，金属保护层为抗氧化性能的金属材料或金属导电氧化物材料，如钛、铬、ITO材料。

8.根据权利要求1所述一种单面发电异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述金属叠层厚度为100～1000nm，方阻小于0.3Ω/□。

9.根据权利要求1所述一种单面发电异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述透明导电薄膜层和金属叠层通过磁控溅射或蒸镀方式沉积。

10.根据权利要求1所述一种单面发电异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述银浆电极栅线通过丝网印刷方式形成，所述正面银浆栅线电极为有细栅的多主栅电极，所述背面栅线电极为有细栅或没有细栅的多主栅电极。