[发明专利]覆晶式发光二极管及其制造方法

说明书

本发明关于一种覆晶式发光二极管及其制造方法。覆晶式发光二极管包括具有正极和负极的发光二极管芯片、第一金属片、第二金属片、封装材料、导电部及绝缘层。发光二极管芯片、第一金属片及第二金属片被封装于封装材料内，且发光二极管芯片的正极与负极、第一金属片及第二金属片彼此绝缘且各具有从封装材料的表面暴露出来的表面。导电部设置来在正极与负极之间保持绝缘的状态下，使第一和第二金属片分别与正极和负极电性连接。绝缘层设置在封装材料的表面上，以覆盖导电部及暴露于封装材料的表面的正极、负极、第一及第二金属片。

技术领域

本发明是关于一种覆晶式发光二极管及其制造方法，特别是关于一种结构简单且可降低热所造成的影响的覆晶式发光二极管及其制造方法。

背景技术

在现有技术中，由于发光二极管(LED)相较于传统光源(如：白炽灯等)具有较高的发光效率和较低的能源损耗，其已被广泛地使用来作为光源。在实际应用上，由发光二极管作为光源的发光装置通常是由以串联或并联的方式被组装于同一基板上的多个发光二极管所形成。然而，在此多个发光二极管产生光的同时，大量的热将会伴随着产生，特别是当多个发光二极管以高密度被组装在同一基板上时，若热聚积在基板上而无法被有效地被发散出去，将会造成不良的影响，例如，基板的变形、发光二极管芯片的脱落或发光输出效率衰减等。

目前已知有被称作覆晶(flip-chip)的发光二极管结构。此种覆晶式发光二极管结构主要是将发光二极管芯片的正极和负极设置在其面向电路基板的表面，并透过焊接的方式使发光二极管芯片的正极和负极分别与电路基板接触。在这种结构中，发光二极管芯片发光所产生的热将透过其正极和负极经由焊料、导线铜箔、绝缘油墨、金属或陶瓷的基板本体所形成的导热路径，传导并发散出去。然而，此种导热路径当中所具备的热阻为较高的，无法达到最佳的散热效果。此外，由于上述的这种结构中包含了许多组件，其结构上的复杂性使得其制造成本亦难以减少。

除此之外，已知的覆晶式发光二极管结构一般是采取堆栈式的结构，将发光二极管芯片堆栈于由焊料、导线铜箔、绝缘油墨、金属或陶瓷的基板本体所形成的电路基板上，由于相互接触的发光二极管芯片与焊料、焊料与导线铜箔…等之间的热膨胀系数是彼此不同的，当来自发光二极管芯片因发光而产生的热被传递通过此堆栈式的结构时，夹在堆栈式结构中间位置处的组件需同时承受热膨胀系数与其不同的位于其上下位置处的组件因热膨胀所造成的变形的拉扯，进而容易产生形变而导致发生毁损、脱落等的情形。

有鉴于此，申请人苦思研究并研发出了一种崭新的覆晶式发光二极管，其不但具有结构简单的优点，且还可同时减少由发光二极管芯片因发光所产生的热对结构所造成的不利影响。

发明内容

为了解决上述的问题，本发明的目的在于提供一种结构简单且可降低热所造成的影响的覆晶式发光二极管及其制造方法。

根据本发明的第一态样是提供一种覆晶式发光二极管，其包括具有正极和负极的发光二极管芯片、第一金属片、第二金属片、封装材料、导电部及绝缘层。发光二极管芯片、第一金属片及第二金属片被封装于封装材料内，且发光二极管芯片的正极与负极、第一金属片及第二金属片彼此绝缘且各具有从封装材料的一表面暴露出来的表面。导电部设置来在发光二极管的正极与负极之间保持绝缘的状态下，使第一和第二金属片分别与正极和负极电性连接。绝缘层设置在封装材料的表面上，以覆盖导电部及暴露于封装材料的表面的正极、负极、第一及第二金属片的表面。