[发明专利]覆晶式发光二极管及其制造方法有效
申请号: | 201710384011.8 | 申请日: | 2017-05-26 |
公开(公告)号: | CN108963054B | 公开(公告)日: | 2019-10-15 |
发明(设计)人: | 黄秀璋 | 申请(专利权)人: | 黄秀璋 |
主分类号: | H01L33/52 | 分类号: | H01L33/52;H01L33/62 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 骆希聪 |
地址: | 中国台湾新北市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属片 正极 封装材料 负极 覆晶式发光二极管 发光二极管芯片 导电部 绝缘层 绝缘 表面暴露 负极电性 封装 制造 暴露 覆盖 | ||
1.一种覆晶式发光二极管,包括:
发光二极管芯片,具有正极和负极;
第一金属片;
第二金属片;
封装材料,配置来将该发光二极管芯片、该第一金属片及该第二金属片封装于其内,其中,该发光二极管芯片的该正极与该负极、该第一金属片及该第二金属片是彼此绝缘且分别具有从该封装材料的一表面暴露出来的表面;
导电部,配置来在该发光二极管芯片的该正极与该负极之间保持绝缘的状态下,使该第一金属片与该发光二极管芯片的该正极电性连接、并使该第二金属片与该发光二极管芯片的该负极电性连接;以及
绝缘层,设置在该封装材料的该表面上,以覆盖该导电部以及暴露于该封装材料的该表面的该发光二极管芯片的该正极与该负极、该第一金属片及该第二金属片的多个该表面。
2.如权利要求1的所述覆晶式发光二极管,其特征在于,该发光二极管芯片的该正极与该负极、该第一金属片及该第二金属片的分别从该封装材料的该表面暴露出来的多个该表面是与该封装材料的该表面齐平。
3.如权利要求1的所述覆晶式发光二极管,其特征在于,该绝缘层为导热绝缘层,配置来传导由该发光二极管芯片所产生的热。
4.如权利要求3的所述覆晶式发光二极管,还包括散热板,该散热板接触该导热绝缘层,以使从该导热绝缘层所传导来的热发散。
5.如权利要求3的所述覆晶式发光二极管,其特征在于,该导热绝缘层还配置来发散由该发光二极管芯片所产生的热。
6.如权利要求1的所述覆晶式发光二极管,其特征在于,该发光二极管芯片具有发光面,该发光面配置为从该封装材料暴露出来。
7.如权利要求1的所述覆晶式发光二极管,其特征在于,该第一金属片与该第二金属片形成该覆晶式发光二极管中的电路图案。
8.如权利要求1的所述覆晶式发光二极管,其特征在于,该第一金属片及该第二金属片为可挠金属片。
9.如权利要求1的所述覆晶式发光二极管,其特征在于,该导电部为借由网印或点胶的方式而被形成的导电胶或焊料。
10.如权利要求1的所述覆晶式发光二极管,还包括用于与该发光二极管芯片一起运作的电子组件。
11.一种制造覆晶式发光二极管的方法,该方法包括以下的步骤:
提供具有通孔的金属片;
设置发光二极管芯片于该金属片的该通孔中,且该发光二极管芯片的正极和负极未与该金属片接触;
以封装材料封装该金属片及该发光二极管,其中,该金属片及该发光二极管的该正极和该负极各具有从该封装材料的表面暴露出来的表面;
蚀刻该金属片,以形成电路图案,该电路图案至少具有相互绝缘的第一部分及第二部分;
形成导电部,以在该发光二极管芯片的该正极与该负极保持绝缘的状态下,使该发光二极管芯片的该正极与该电路图案的该第一部分电性连接、并使该发光二极管芯片的该负极与该电路图案的该第二部分电性连接;以及
于该封装材料的该表面上设置绝缘层,以覆盖该导电部及从该封装材料的该表面暴露出来的该金属片的该表面及该发光二极管的该正极和该负极的多个该表面。
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