[发明专利]一种曲面PN结及其制造方法在审
| 申请号： | 201710367250.2 | 申请日： | 2017-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN108963016A | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 戴明志 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/072;H01L31/075;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人： | 姚海波 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 侧面 凹面形 交界面 凸面形 衔接 光电转化效率 太阳能电池片 光生载流子 曲面结构 衔接面 制造 | ||
1.一种曲面PN结，其特征在于，所述曲面PN结由P型半导体和N型半导体衔接形成P-N结构，其中，所述P型半导体和所述N型半导体的衔接面为曲面。
2.根据权利要求1所述的曲面PN结，其特征在于，当所述P型半导体的一侧面为凸面形侧面时，所述N型半导体与所述P型半导体衔接的一侧面为凹面形侧面。
3.根据权利要求1所述的曲面PN结，其特征在于，当所述P型半导体的一侧面为凹面形侧面时，所述N型半导体与所述P型半导体衔接的一侧面为凸面形侧面。
4.根据权利要求1所述的曲面PN结，其特征在于，所述曲面PN结由所述P型半导体、本征半导体以及所述N型半导体衔接形成P-I-N结构，所述本征半导体设置于所述P型半导体与所述N型半导体之间。
5.根据权利要求4所述的曲面PN结，其特征在于，所述P型半导体与所述本征半导体的衔接面为曲面；
其中，当所述P型半导体的一侧面为凸面形侧面时，所述本征半导体与所述P型半导体衔接的一侧面为凹面形侧面；
当所述P型半导体的一侧面为凹面形侧面时，所述本征半导体与所述P型半导体衔接的一侧面为凸面形侧面。
6.根据权利要求4所述的曲面PN结，其特征在于，所述N型半导体与所述本征半导体的衔接面为曲面；
其中，当所述N型半导体的一侧面为凸面形侧面时，所述本征半导体与所述N型半导体衔接的一侧面为凹面形侧面；
当所述N型半导体的一侧面为凹面形侧面时，所述本征半导体与所述N型半导体衔接的一侧面为凸面形侧面。
7.根据权利要求4所述的曲面PN结，其特征在于，所述本征半导体的厚度在1nm-500μm范围内。
8.一种曲面PN结的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供衬底；
在所述衬底上形成第一曲面状半导体；
在所述第一曲面状半导体上形成第二曲面状半导体。
9.根据权利要求8所述的曲面PN结的制造方法，其特征在于，还包括：
在所述第一曲面状半导体和所述第二曲面状半导体之间存在本征半导体。
10.一种太阳能电池片，其特征在于，包括：
如权利要求1-7中任一项所述的曲面PN结。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
