[发明专利]一种微机电系统器件及其制造方法在审
申请号: | 201710365937.2 | 申请日: | 2017-05-22 |
公开(公告)号: | CN107235468A | 公开(公告)日: | 2017-10-10 |
发明(设计)人: | 庄瑞芬;李刚 | 申请(专利权)人: | 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 |
主分类号: | B81B3/00 | 分类号: | B81B3/00;B81B7/02;B81C3/00 |
代理公司: | 北京布瑞知识产权代理有限公司11505 | 代理人: | 孟潭 |
地址: | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 微机 系统 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种微机电系统器件,包括:第一芯片和第二芯片,其特征在于,所述第一芯片和所述第二芯片之间设置有密封腔体,所述第一芯片为微机电系统传感器芯片,所述第二芯片为IC集成电路芯片,所述第一芯片和所述第二芯片通过键合的方式连接。
2.如权利要求1所述的微机电系统器件,其特征在于,所述第一芯片包括第一基底和顺序设置在所述第一基底上的氧化层、引线层、牺牲层、微机电系统器件层、外部电气连接层和止挡层。
3.如权利要求2所述的微机电系统器件,其特征在于,所述第二芯片包括靠近所述第一芯片的第一表面和远离所述第一芯片的第二表面,所述第二芯片包括设置在所述第二芯片上的导电通孔、顺序设置在所述第二芯片的所述第一表面上的第一金属层和第二金属层以及顺序设置在所述第二芯片的所述第二表面上的第二氧化层、第三金属层、钝化层和金属球,所述第一芯片的所述外部电气连接层和所述第二芯片的所述第二金属层连接,所述第一芯片和所述第二芯片通过所述连接键合在一起。
4.如权利要求2所述的微机电系统器件,其特征在于,所述第一芯片的所述微机电系统器件层为活动层,包括活动部分和固定部分。
5.如权利要求3所述的微机电系统器件,其特征在于,所述第一芯片的所述外部电气连接层包括第一电气连接层和第二电气连接层,所述第二芯片的所述第二金属层包括第三电气连接层和第四电气连接层,所述第一电气连接层和所述第三电气连对接,形成所述第一芯片和所述第二芯片之间的所述密封腔体,所述第二电气连接层和所述第四连接层对接,形成所述第一芯片和所述第二芯片的电气连接。
6.如权利要求5所述的微机电系统器件,其特征在于,所述第一芯片的所述止挡层设置在所述第一芯片的所述电气连接层的外围。
7.一种微机电系统器件的制造方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
形成第一芯片,所述第一芯片为微机电系统传感器芯片;
形成第二芯片,所述第二芯片为IC集成电路芯片;
键合所述第一芯片和所述第二芯片,所述第一芯片和所述第二芯片之间设置密封腔体。
8.如权利要求7所述的微机电系统器件的制造方法,其特征在于,所述形成第一芯片包括:提供第一基底并在所述第一基底上顺序形成氧化层、引线层、牺牲层、微机电系统器件层、外部电气连接层和止挡层。
9.如权利要求7所述的微机电系统器件的制造方法,其特征在于,所述第二芯片包括靠近所述第一芯片的第一表面和远离所述第一芯片的第二表面,所述形成第二芯片包括:在所述第二芯片中形成导电通孔;在所述第二芯片的所述第一表面上顺序形成第一金属层和第二金属层。
10.如权利要求9所述的微机电系统器件的制造方法,其特征在于,所述制造方法还包括:
减薄键合后的所述第二芯片的所述第二表面;
对减薄后的所述第二芯片的所述第二表面进行氧化,通过淀积氧化硅形成第二氧化层;
去除所述第二氧化层上的部分所述氧化硅,露出所述导电通孔,然后淀积第三金属层,使得所述第三金属层和所述导电通孔相连接;
调整布线,然后淀积一层钝化层;
光刻所述钝化层以暴露所述第三金属层中需要与外界对接的部分,在所述与外界对接的部分上植金属球。
11.如权利要求10所述的微机电系统器件的制造方法,其特征在于,所述第二氧化层覆盖所述导电通孔。
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