[发明专利]利用共享深沟槽隔离存储电容器的全局快门像素

权利要求书

1.一种电子器件，包括：

集成电路衬底；

像素阵列区域，所述像素阵列区域位于所述集成电路衬底上；

边界隔离区，所述边界隔离区在所述集成电路衬底中围绕着所述像素阵列区域的周边形成；

第一像素，所述第一像素位于所述像素阵列区域内；

第二像素，所述第二像素位于所述像素阵列区域内与所述第一像素间隔开；

存储电容器区域，所述存储电容器区域位于所述第一像素与所述第二像素之间并且由所述第一像素和所述第二像素共用；

第一电容器区域隔离区，所述第一电容器区域隔离区在所述集成电路衬底中形成在所述存储电容器区域与所述第一像素之间，并且在所述边界隔离区的第一部分与第二部分之间延伸；

第二电容器区域隔离区，所述第二电容器区域隔离区在所述集成电路衬底中形成在所述存储电容器区域与所述第二像素之间，并且在所述边界隔离区的所述第一部分与所述第二部分之间延伸；

位于所述存储电容器区域内并且电耦合到所述第一像素的至少一个存储电容器；以及

位于所述存储电容器区域内并且电耦合到所述第二像素的至少一个存储电容器。

2.如权利要求1所述的电子器件，其中，所述边界隔离区包括深沟槽隔离区；其中，所述第一电容器区域隔离区包括第一部分深度电容型深沟槽隔离区；并且其中，所述第二电容器区域隔离区包括第二部分深度电容型深沟槽隔离区。

3.如权利要求2所述的电子器件，其中，所述第一电容器区域隔离区在所述存储电容器区域内形成电耦合到所述第一像素的所述至少一个存储电容器；并且其中，所述第二电容器区域隔离区在所述存储电容器区域内形成电耦合到所述第二像素的所述至少一个存储电容器。

4.如权利要求2所述的电子器件，其中，所述深沟槽隔离区包括完全穿过所述集成电路衬底而延伸的深隔离沟槽。

5.如权利要求2所述的电子器件，其中，所述第一电容器区域隔离区包括限定在所述集成电路衬底中并且部分地穿过其延伸的沟槽、所述沟槽的侧壁上的绝缘层以及所述绝缘层所包含的导体。

6.如权利要求5所述的电子器件，其中，所述第二电容器区域隔离区包括限定在所述集成电路衬底中并且部分地穿过其延伸的沟槽、所述沟槽的侧壁上的绝缘层以及所述绝缘层所包含的导体。

7.如权利要求1所述的电子器件，其中，所述边界隔离区的所述第一部分和所述第二部分是所述边界隔离区的第一边和第二边。

8.如权利要求1所述的电子器件，其中，与所述第一像素相关联的所述至少一个存储电容器包括与所述第一像素相关联的第一电容器；其中，与所述第二像素相关联的所述至少一个存储电容器包括与所述第二像素相关联的第二电容器；所述电子器件还包括在所述集成电路衬底中围绕着所述第一电容器的周边而形成的第一隔离区、以及在所述集成电路衬底中围绕着所述第二电容器的周边而形成的第二隔离区。

9.如权利要求8所述的电子器件，其中，所述第一隔离区在所述集成电路衬底内与所述第二隔离区间隔开。

10.如权利要求8所述的电子器件，其中，所述第一隔离区和所述第二隔离区中的至少一个与所述边界隔离区间隔开。

11.如权利要求8所述的电子器件，其中，所述第一隔离区和所述第二隔离区中的至少一个与所述第一电容器区域隔离区和所述第二电容器区域隔离区间隔开。