[发明专利]半导体物理量传感器装置

权利要求书

1.一种半导体物理量传感器装置，其特征在于，输出与检测到的物理量的大小对应的电压的电信号，具有：

第一输出元件；

第二输出元件，其以互补的方式与所述第一输出元件的高电位侧连接；

第一开关元件，其在所述第一输出元件与所述第二输出元件之间与所述第一输出元件的高电位侧连接；

第二开关元件，其连接在所述第一开关元件与所述第二输出元件之间；以及

输出端子，其与所述第一开关元件和所述第二开关元件之间的连接点连接，并且将所述连接点的电位的所述电信号向外部输出，

在所述输出端子的电压小于第一电压时，所述第一开关元件截止，所述输出端子的电压被钳位为所述第一电压，并且所述第二开关元件导通，

在所述输出端子的电压为比所述第一电压高的第二电压以上时，所述第二开关元件截止，所述输出端子的电压被钳位为所述第二电压，并且所述第一开关元件导通，

在所述输出端子的电压为比所述第一电压低的第三电压以下时，所述第二开关元件截止，

在所述输出端子的电压高于比所述第二电压高的第四电压时，所述第一开关元件截止。

2.如权利要求1所述的半导体物理量传感器装置，其特征在于，

在所述输出端子的电压为所述第一电压以上且为所述第四电压以下时，所述第一开关元件导通。

3.如权利要求1所述的半导体物理量传感器装置，其特征在于，

在所述输出端子的电压比所述第三电压高、且比所述第二电压低时，所述第二开关元件导通。

4.如权利要求2所述的半导体物理量传感器装置，其特征在于，

在所述输出端子的电压比所述第三电压高、且比所述第二电压低时，所述第二开关元件导通。

5.如权利要求1至4中任一项所述的半导体物理量传感器装置，其特征在于，

所述第一开关元件为n沟道型绝缘栅型电场效应晶体管，

所述第二开关元件为p沟道型绝缘栅型电场效应晶体管。

6.如权利要求1至4中任一项所述的半导体物理量传感器装置，其特征在于，

所述第一输出元件为n沟道型绝缘栅型电场效应晶体管，

所述第二输出元件为p沟道型绝缘栅型电场效应晶体管。

7.如权利要求5所述的半导体物理量传感器装置，其特征在于，

所述第一输出元件为n沟道型绝缘栅型电场效应晶体管，

所述第二输出元件为p沟道型绝缘栅型电场效应晶体管。

8.如权利要求1至4中任一项所述的半导体物理量传感器装置，其特征在于，还具有：

最高电位的第一端子，其与所述第二输出元件的高电位侧连接；

最低电位的第二端子，其与所述第一输出元件的低电位侧连接；

第一电阻，其连接在所述第一端子与所述第二端子之间；

第二电阻，其连接在所述第一端子与所述输出端子之间；

第三电阻，其连接在所述输出端子与所述第二端子之间。

9.如权利要求5所述的半导体物理量传感器装置，其特征在于，还具有：

最高电位的第一端子，其与所述第二输出元件的高电位侧连接；

最低电位的第二端子，其与所述第一输出元件的低电位侧连接；

第一电阻，其连接在所述第一端子与所述第二端子之间；

第二电阻，其连接在所述第一端子与所述输出端子之间；

第三电阻，其连接在所述输出端子与所述第二端子之间。

10.如权利要求6所述的半导体物理量传感器装置，其特征在于，还具有：

最高电位的第一端子，其与所述第二输出元件的高电位侧连接；

最低电位的第二端子，其与所述第一输出元件的低电位侧连接；

第一电阻，其连接在所述第一端子与所述第二端子之间；

第二电阻，其连接在所述第一端子与所述输出端子之间；

第三电阻，其连接在所述输出端子与所述第二端子之间。