[发明专利]在沟槽形成期间运用牺牲阻障层保护贯孔的方法

说明书

本发明涉及在沟槽形成期间运用牺牲阻障层保护贯孔的方法，其中，一种方法，举例而言，包括提供中间半导体结构，其包含金属层、布置于该金属层上方的可图型化层、及布置于该可图型化层上方的硬掩模，该中间半导体结构包含穿过该硬掩模延展到该金属层上的多个贯孔，在该中间半导体结构上方及该多个贯孔中沉积牺牲阻障层，移除介于该多个贯孔间的一部分该牺牲阻障层，同时在该多个贯孔中维持一部分该牺牲阻障层，在介于该牺牲阻障层的该遭受移除部分与该多个贯孔间的该可图型化层中形成沟槽，以及将该牺牲阻障层的该剩余部分从该多个贯孔移除。

技术领域

本发明大体上是关于用于制作半导体装置的方法，并且尤是关于在沟槽形成期间运用牺牲阻障层保护贯孔的方法。

背景技术

在现代的半导体装置制作中，在所谓的“前段制程(FEOL)”建立出例如晶体管的装置后，在所谓的“后段制程(BEOL)”施作连至此等装置的电连接，亦称为“金属化”。金属化制程包含以导电材料(典型为金属)填充各种贯孔。然而，在贯孔建立及金属填充的各种时点，会不经意地引进某些缺陷，影响到使用金属填充贯孔的连接的终端使用可靠度。

发明内容

在一项具体实施例中，透过提供一种方法，得以克服先前技术的缺点，并且提供附加优点，该方法举例而言，包括提供中间半导体结构，其具有金属层、布置于该金属层上方的可图型化层、及布置于该可图型化层上方的硬掩模，该中间半导体结构包括穿过该硬掩模延展到该金属层上的多个贯孔，在该中间半导体结构上方及该多个贯孔中沉积牺牲阻障层，移除介于该多个贯孔间的一部分该牺牲阻障层，同时在该多个贯孔中维持一部分该牺牲阻障层，在介于该牺牲阻障层的该遭受移除部分与该多个贯孔间的该可图型化层中形成沟槽，以及将该牺牲阻障层的该剩余部分从该多个贯孔移除。

在另一具体实施例中，提供一种方法，其举例而言，包括提供中间半导体结构，其具有金属层、布置于该金属层上方的可图型化层、及布置于该可图型化层上方的硬掩模，该中间半导体结构包括穿过该硬掩模延展到该金属层上的多个贯孔，在该中间半导体结构上方及该多个贯孔中沉积牺牲阻障层以在该贯孔中界定多个凹穴，在该牺牲阻障层上方、及该多个贯孔中该牺牲阻障层所界定的多个凹穴中沉积填充材料，对一部分该填充材料及该牺牲阻障层介于该多个贯孔间的一部分进行第一移除，同时在该多个贯孔中维持一部分该牺牲阻障层及一部分该填充材料，在介于该牺牲阻障层的该遭受移除部分与该多个贯孔间的该可图型化层中形成沟槽，以及将该剩余填充材料及该牺牲阻障层的该剩余部分从该多个贯孔进行第二移除。

附加特征及优点透过本发明的技术来实现。本发明的其它具体实施例及态样于本文中详述，并且视为权利要求书的一部分。

附图说明

本说明书的结论部分中特别指出并且明确主张本发明的专利目标。然后，若要对本发明有最深刻的理解，可参照以下各项具体实施例的详细说明及附图，其中：

图1根据本发明的一具体实施例，是中间半导体结构的截面图；

图2至8根据本发明的一具体实施例，是用于在制作半导体装置的金属化阶段中形成贯孔及沟槽的方法的截面图；

图9根据本发明的一具体实施例，是绘示方法的流程图；以及

图10图根据本发明的一具体实施例，是绘示方法的流程图。

具体实施方式

本发明的态样及某些特征、优点、及其细节是引用附图所示非限制性具体实施例于下文更完整阐释。省略众所周知的材料、制作工具、处理技术等的说明以避免非必要地混淆本发明的详细说明。然而，应该了解的是，详细说明及特定实施例虽然指出本发明的具体实施例，仍是仅举例来提供，并且非是作为限制。本概念的精神及/或范畴内的各种取代、修改、添加及/或配置经由本发明对所属领域技术人员将显而易见。下文引用为易于了解未依比例绘示的图式，其中各个不同图中所用相同的附图标记表示相同或类似组件。