[发明专利]在沟槽形成期间运用牺牲阻障层保护贯孔的方法

权利要求书

1.一种制作半导体装置的方法，该方法包含：

提供半导体结构，其包含互连传导结构、介电覆盖层、可图型化层、及布置于该可图型化层上方的硬掩模，该介电覆盖层及该可图型化层布置于该互连传导结构上方，该半导体结构包含延展穿过该硬掩模、该可图型化层、该介电覆盖层并直接开口到该互连传导结构上的多个贯孔；

在该半导体结构上方及在该多个贯孔中并直接在该互连传导结构上沉积牺牲阻障层；

通过将介于该多个贯孔间的该牺牲阻障层的上部分移除，同时在该多个贯孔中维持直接在该互连传导结构上的该牺牲阻障层的下部分，以进行第一移除；

在介于该牺牲阻障层的遭受移除的该上部分与该多个贯孔间的该可图型化层中形成沟槽，同时在该多个贯孔中维持直接在该互连传导结构上的该牺牲阻障层的该下部分；以及

通过将该牺牲阻障层的剩余该下部分从该多个贯孔移除以曝露在该多个贯孔的底端的该互连传导结构，以进行第二移除。

2.如权利要求1所述的方法，其中，该牺牲阻障层与形成该多个贯孔的侧边的可图型化层不起反应。

3.如权利要求1所述的方法，其中，该牺牲阻障层与该互连传导结构不起反应。

4.如权利要求1所述的方法，其中，该牺牲阻障层与在该可图型化层中形成的该沟槽不起反应。

5.如权利要求1所述的方法，其中，介于该多个贯孔的其中一者与该沟槽间的间隔小于20纳米。

6.如权利要求1所述的方法，其中，该牺牲阻障层包含原子层沉积(ALD)。

7.如权利要求1所述的方法，其中，该牺牲阻障层包含AlN或TiN。

8.如权利要求1所述的方法，其中，该半导体结构包含对应于该沟槽的沟槽图型化记忆物。

9.如权利要求8所述的方法，其中，该第一移除包含移除对应于该沟槽图型化记忆物的部分该牺牲阻障层。

10.如权利要求1所述的方法，其中，该形成该沟槽包含蚀刻。

11.如权利要求1所述的方法，还包含以传导材料填充该可图型化层中的该多个贯孔。

12.如权利要求1所述的方法，还包含以传导或非传导材料填充该可图型化层中的该沟槽。

13.如权利要求1所述的方法，其中：

该沉积包含在该牺牲阻障层上方、及在该多个贯孔中由该牺牲阻障层所界定的多个凹穴中沉积填充材料；

该第一移除包含移除该填充材料的上部分及该牺牲阻障层介于该多个贯孔间的该上部分，同时在该多个贯孔中维持该牺牲阻障层的该下部分及该填充材料的下部分；以及

该第二移除包含将该填充材料的剩余该下部分及该牺牲阻障层的剩余该下部分从该多个贯孔移除。

14.如权利要求13所述的方法，其中，该牺牲阻障层与形成该多个贯孔的侧边的可图型化层不起反应。

15.如权利要求13所述的方法，其中，该牺牲阻障层与该互连传导结构不起反应。

16.如权利要求13所述的方法，其中，该牺牲阻障层与在该可图型化层中形成的该沟槽不起反应。

17.如权利要求13所述的方法，其中，该牺牲阻障层包含原子层沉积(ALD)。

18.如权利要求17所述的方法，其中，该牺牲阻障层包含AlN或TiN。

19.如权利要求13所述的方法，其中，自该贯孔至该沟槽的距离小于20纳米。

20.如权利要求13所述的方法，还包含在该多个贯孔中填充传导材料并以介电质或传导材料填充该沟槽。