[发明专利]一种快速氧化处理钙钛矿太阳电池空穴传输层的方法有效

专利信息
申请号: 201710356715.4 申请日: 2017-05-19
公开(公告)号: CN107195784B 公开(公告)日: 2020-03-10
发明(设计)人: 陈强;王东栋 申请(专利权)人: 北京印刷学院
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/48
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 张立改
地址: 102600 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 快速 氧化 处理 钙钛矿 太阳电池 空穴 传输 方法
【权利要求书】:

1.一种快速氧化处理钙钛矿太阳电池空穴传输层的方法,其特征在于,利用氧气放电低温等离子体对钙钛矿太阳电池的空穴传输层进行氧化处理,利用氧等离子体中活性基团与空穴传输层发生反应来迅速完成空穴传输层的功能化,所述的空穴传输层为直接旋涂于光活性层上的空穴传输层;等离子体放电功率为5~10瓦;等离子体处理时间为0.5~11S;放电气体为氧气,所述等离子体发生装置产生稳定等离子体的方法为交流放电或者直流放电;钙钛矿太阳电池的空穴传输层为Spiro-OMeTAD。

2.按照权利要求1所述的一种快速氧化处理钙钛矿太阳电池空穴传输层的方法,其特征在于,钙钛矿太阳电池,包括依次组合的阳极、空穴传输层、光活性层、电子传输层和阴极。

3.按照权利要求1所述的一种快速氧化处理钙钛矿太阳电池空穴传输层的方法,其特征在于,光活性层的材料为具有钙钛矿结构的有机-无机杂化材料。

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