[发明专利]一种小型扁平压力传感器的制作方法

权利要求书

1.一种小型扁平压力传感器的制作方法，压力敏感芯片的敏感电阻面与带有硅导电柱的玻璃直接静电键合，芯片部分只有两层材料，可以做得很薄，封装衬底采用玻璃基座，将封接好的芯体倒装焊在玻璃基座上。

2.根据权利要求1所述的一种小型扁平压力传感器的制作方法，其特征是：敏感芯片采用SOI材料，压阻式原理感压，背面使用KOH腐蚀液加工成需要深度的敏感膜；正面在应力最大区域制作敏感电阻，敏感电阻刻蚀到SOI材料的氧化层处，电阻与电阻之间形成完全隔离，电阻的引出电极与上盖封接琉璃的导电硅柱位置相对应，引出电极周围形成密闭键合区域，使引出电极与真空密封腔形成隔离，在敏感膜的中部是绝压感压腔，最外边是闭环的封接面，保证绝压腔与外界压力形成隔离。

3.根据权利要求1所述的一种小型扁平压力传感器的制作方法，其特征是：玻璃上盖由导电硅柱与静电键合玻璃组成，玻璃材料为可以进行静电键合的硼硅玻璃。

4.根据权利要求1所述的一种小型扁平压力传感器的制作方法，其特征是：敏感芯片与玻璃上盖，芯片结构与玻璃基座均采用圆片级键合方式进行封接。

5.根据权利要求1所述的一种小型扁平压力传感器的制作方法，其特征是：玻璃基座衬底采用玻璃绝缘材料，首先在玻璃上蒸镀一层金属铬，使用光刻的方法对金属铬进行选择性去除与保留，湿法腐蚀的方法加工孔和导通沟道，腐蚀液为49%的HF。