[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示面板

说明书

本公开是关于一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示面板，该方法包括：衬底基板；设于所述衬底基板上的栅极金属层；设于所述栅极金属层上的栅极绝缘层；设于所述栅极绝缘层上的有源层图案；设于所述有源层图案上的刻蚀阻挡层图案；以及分别设于所述有源层图案上且均与所述刻蚀阻挡层图案接触的源极金属图案和漏极金属图案；其中，所述刻蚀阻挡层图案在所述衬底基板上的正投影与源极金属图案在所述衬底基板上的正投影斜交。本公开可以避免由于电荷聚集而导致薄膜晶体管烧毁的问题，同时也可以避免由于驼峰效应造成的不良影响。

技术领域

本公开涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种薄膜晶体管、薄膜晶体管制造方法、阵列基板和显示面板。

背景技术

随着信息技术的发展，人机交互过程越来越多地应用在不同的场景中。显示装置作为人机交互过程中获取信息的重要部件之一，与其相关的技术得到了快速的发展。

在显示技术领域中，薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)技术由原来的a-Si薄膜晶体管(非晶硅TFT)发展到目前得到广泛应用的氧化物薄膜晶体管。氧化物薄膜晶体管可以采用掺杂金属氧化物作为有源层，具有迁移率大(可以达到a-Si薄膜晶体管迁移率的10倍以上)、开关性能优异、均匀性较好等特点，可以用于需要快速响应和较大电流的应用，例如，高频、高分辨率、大尺寸的显示装置以及有机发光显示装置等。

作为氧化物薄膜晶体管的设计构思之一，SWC薄膜晶体管(Side wing contactTFT，边翼接触TFT)由于在工艺上优势，已经得到了各大晶体管制造厂商及研究机构的重视。然而，SWC薄膜晶体管可能存在较大的热集中效应而导致薄膜晶体管烧毁的问题，另外，SWC薄膜晶体管还可能产生驼峰效应(Hump effect)。

鉴于此，需要一种薄膜晶体管、薄膜晶体管制造方法、阵列基板和显示面板。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种薄膜晶体管、薄膜晶体管制造方法、阵列基板和显示面板，进而至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的一个或者多个问题。

根据本公开的一个方面，提供一种薄膜晶体管，包括：

衬底基板；

设于所述衬底基板上的栅极金属层；

设于所述栅极金属层上的栅极绝缘层；

设于所述栅极绝缘层上的有源层图案；

设于所述有源层图案上的刻蚀阻挡层图案；以及

分别设于所述有源层图案上且均与所述刻蚀阻挡层图案接触的源极金属图案和漏极金属图案；

其中，所述刻蚀阻挡层图案在所述衬底基板上的正投影与源极金属图案在所述衬底基板上的正投影斜交。

在本公开的一种示例性实施例中，所述有源层图案分别与所述源极金属图案和所述漏极金属图案形成边翼接触。

在本公开的一种示例性实施例中，所述有源层图案的材料为掺杂金属氧化物。

根据本公开的一个方面，提供一种阵列基板，所述阵列基板包括上述任意一项所述的薄膜晶体管。

根据本公开的一个方面，提供一种显示面板，所述显示面板包括上述任意一项所述的阵列基板。

根据本公开的一个方面，提供一种薄膜晶体管制造方法，包括：

在衬底基板上形成栅极金属层；

在所述栅极金属层上形成栅极绝缘层；