[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示面板有效

专利信息
申请号: 201710348413.2 申请日: 2017-05-17
公开(公告)号: CN107425076B 公开(公告)日: 2020-06-02
发明(设计)人: 刘珠林;王孝林;汪锐 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L29/417;H01L27/12;H01L21/34
代理公司: 北京律智知识产权代理有限公司 11438 代理人: 王辉;阚梓瑄
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 薄膜晶体管 及其 制造 方法 阵列 显示 面板
【权利要求书】:

1.一种薄膜晶体管,其特征在于,包括:

衬底基板;

设于所述衬底基板上的栅极金属层;

设于所述栅极金属层上的栅极绝缘层;

设于所述栅极绝缘层上的有源层图案;

设于所述有源层图案上的刻蚀阻挡层图案;以及

分别设于所述有源层图案上且均与所述刻蚀阻挡层图案接触的源极金属图案和漏极金属图案,所述有源层图案分别与所述源极金属图案和所述漏极金属图案形成边翼接触;

其中,所述刻蚀阻挡层图案在所述衬底基板上的正投影与源极金属图案在所述衬底基板上的正投影斜交。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述有源层图案的材料为掺杂金属氧化物。

3.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括权利要求1或2所述的薄膜晶体管。

4.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括权利要求3所述的阵列基板。

5.一种薄膜晶体管制造方法,其特征在于,包括:

在衬底基板上形成栅极金属层;

在所述栅极金属层上形成栅极绝缘层;

在所述栅极绝缘层上形成有源层;

在所述有源层上形成刻蚀阻挡层图案;

在所述有源层上分别形成均与所述刻蚀阻挡层图案接触的源极金属图案和漏极金属图案,所述有源层图案分别与所述源极金属图案和所述漏极金属图案形成边翼接触;

刻蚀所述有源层以形成有源层图案;

其中,所述刻蚀阻挡层图案在所述衬底基板上的正投影与源极金属图案在所述衬底基板上的正投影斜交。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管制造方法,其特征在于,在所述有源层上形成刻蚀阻挡层图案包括:

在所述有源层上形成刻蚀阻挡层;

对所述刻蚀阻挡层进行刻蚀以形成所述刻蚀阻挡层图案。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管制造方法,其特征在于,在所述有源层上分别形成与所述刻蚀阻挡层图案接触的源极金属图案和漏极金属图案包括:

在所述有源层上形成覆盖所述刻蚀阻挡层图案的源漏金属层;

对所述源漏金属层进行刻蚀以形成均与所述刻蚀阻挡层图案接触的所述源极金属图案和所述漏极金属图案。

8.根据权利要求5至7中任一项所述的薄膜晶体管制造方法,其特征在于,所述有源层的材料为掺杂金属氧化物。

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