[发明专利]有机发光二极管显示器及其制造方法

说明书

本发明涉及一种有机发光二极管显示器及其制造方法。所述有机发光二极管显示器包括基底、半导体、栅电极、被连接到半导体的第一部分的源电极、被连接到半导体的第二部分的漏电极、以及被连接到漏电极的像素电极。源电极、漏电极和像素电极中的每个包括屏障金属层、低电阻金属层、金属氧化物层、以及被设置在低电阻金属层与金属氧化物层之间的接触辅助层。源电极、漏电极和像素电极各自具有台阶形状。

相关申请的交叉引用

此申请要求2016年6月1日提交到韩国知识产权局的韩国专利申请第10-2016-0068341号的优先权和权益，其全部内容通过引用被整体合并于此。

技术领域

本公开涉及显示设备，更具体地，涉及有机发光二极管显示器及其制造方法。

背景技术

有机发光二极管(OLED)显示器包括两个电极和被插入在其间的有机发射层。从一个电极注入电子，从另一个电极注入空穴。电子和空穴在有机发射层内结合以产生激子。所产生的激子随着它们衰减以光的形式释放能量，以这种方式产生光。

OLED显示设备通常包括多个像素。每个像素包括作为自发射器件的有机发光二极管，并且在每个像素中，形成用于驱动有机发光二极管的多个薄膜晶体管。在每个像素中还形成至少一个电容器。多个薄膜晶体管通常包括开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管两者。

通过执行使用多个掩模并/或多次使用相同的掩模的光刻工艺来制造电极、有机发射层、薄膜晶体管等。使用掩模的工艺显著增加了制造成本，因此，随着掩模数量的增加，制造成本增加。

发明内容

一种有机发光二极管显示器包括基底、半导体、栅电极、被连接到半导体的第一部分的源电极、被连接到半导体的第二部分的漏电极、以及被连接到漏电极的像素电极。源电极、漏电极和像素电极中的每个包括屏障金属层、低电阻金属层、金属氧化物层、以及被设置在低电阻金属层与金属氧化物层之间的接触辅助层。源电极、漏电极和像素电极各自具有台阶形状。

一种制造有机发光二极管显示器的方法包括在基底上形成半导体。栅电极被形成在半导体上。层间绝缘层被形成在半导体和栅电极二者上。层间绝缘层被图案化以形成暴露半导体的第一部分和第二部分的接触孔。屏障金属材料层、低电阻金属材料层、接触辅助材料层和金属氧化物材料层被顺序沉积在层间绝缘层上。通过对屏障金属材料层、低电阻金属材料层、接触辅助材料层和金属氧化物材料层进行图案化，源电极被形成为被连接到半导体的第一部分，漏电极被形成为被连接到半导体的第二部分，像素电极被形成为被连接到半导体的第二部分。源电极、漏电极和像素电极各自被形成为具有第一层比第二层更宽的台阶形状，第二层被直接设置在第一层上。

有机发光二极管显示器包括基底。多层源电极被设置在基底上并且包括形成台阶形状的多个层。多层栅电极被设置在基底上并且包括形成台阶形状的多个层。多层像素电极被设置在基底上并且包括形成台阶形状的多个层。

附图说明

通过参考下面结合附图考虑的详细描述，对本公开及其许多附加方面的更完整的认识将由于其变得更好理解而容易得到，其中：

图1是示出了根据本公开的示例性实施例的有机发光二极管显示器的一个像素的电路图；

图2是示出了根据本公开的示例性实施例的有机发光二极管显示器的两个相邻像素的布局图；

图3是沿图2的线III-III截取的剖视图；

图4至图10是示出了根据本公开的示例性实施例的制造有机发光二极管显示器的方法的剖视图；

图11是示出了根据本公开的示例性实施例的有机发光二极管显示器的剖视图；

图12至图16是示出了根据本公开的示例性实施例的制造有机发光二极管显示器的方法的剖视图；