[发明专利]有机发光二极管显示器及其制造方法

权利要求书

1.一种有机发光二极管显示器，包括：

基底；

被设置在所述基底上的半导体；

被设置在所述半导体上的栅电极；

被连接到所述半导体的第一部分的源电极；

被连接到所述半导体的第二部分的漏电极；和

被连接到所述漏电极的像素电极，

其中所述源电极、所述漏电极和所述像素电极中的每个包括：

屏障金属层；

被设置在所述屏障金属层上的低电阻金属层；

被设置在所述低电阻金属层上的金属氧化物层；和

被设置在所述低电阻金属层与所述金属氧化物层之间的接触辅助层，

其中所述源电极、所述漏电极和所述像素电极各自具有第一层比第二层更宽的台阶形状，所述第二层被直接设置在所述第一层上，并且

其中：

所述第一层是所述接触辅助层且所述第二层是所述金属氧化物层；或者

所述源电极、所述漏电极和所述像素电极中的每个还包括被设置在所述低电阻金属层与所述接触辅助层之间的蚀刻停止层，所述第一层是所述蚀刻停止层且所述第二层是所述接触辅助层。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中

在作为所述第一层的所述接触辅助层与作为所述第二层的所述金属氧化物层之间形成台阶，并且

其中所述接触辅助层具有大于所述接触辅助层的顶部宽度的底部宽度，所述低电阻金属层具有在尺寸上等于所述接触辅助层的所述顶部宽度的底部宽度，并且所述低电阻金属层具有小于所述低电阻金属层的所述底部宽度的顶部宽度，所述屏障金属层具有在尺寸上等于所述低电阻金属层的所述顶部宽度的底部宽度，并且所述屏障金属层具有小于所述屏障金属层的所述底部宽度的顶部宽度。

3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中

所述屏障金属层包括钛、钼、钛合金或钼合金，

所述低电阻金属层包括铝、铜、铝合金或铜合金，

所述接触辅助层包括铝与镍、镧、锗、铜、钴或钕的合金，并且

所述金属氧化物层包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌或氧化铟。

4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中

所述漏电极和所述像素电极一体形成。

5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中

所述蚀刻停止层包括钛或钼。

6.一种制造有机发光二极管显示器的方法，包括：

在基底上形成半导体；

在所述半导体上形成栅电极；

在所述半导体和所述栅电极二者上形成层间绝缘层；

对所述层间绝缘层图案化以形成暴露所述半导体的第一部分和第二部分的接触孔；

在所述层间绝缘层上顺序沉积屏障金属材料层、低电阻金属材料层、接触辅助材料层和金属氧化物材料层；以及

通过对所述屏障金属材料层、所述低电阻金属材料层、所述接触辅助材料层和所述金属氧化物材料层进行图案化来形成被连接到所述半导体的所述第一部分的源电极、被连接到所述半导体的所述第二部分的漏电极、以及被连接到所述半导体的所述第二部分的像素电极，

其中所述源电极、所述漏电极和所述像素电极各自被形成为具有第一层比第二层更宽的台阶形状，所述第二层被直接设置在所述第一层上，并且

其中：

所述第一层是由所述接触辅助材料层形成的接触辅助层且所述第二层是由所述金属氧化物材料层形成的金属氧化物层；或者

所述方法进一步包括在所述低电阻金属材料层与所述接触辅助材料层之间沉积蚀刻停止材料层，所述第一层是由所述蚀刻停止材料层形成的蚀刻停止层且所述第二层是所述接触辅助层。