[发明专利]一种紫外LED封装器件

权利要求书

1.一种紫外LED封装器件，包括氧化铝陶瓷基板和紫外LED芯片，所述紫外LED芯片固定在所述氧化铝陶瓷基板的封装槽内，所述紫外LED芯片包括正电极和负电极，其特征在于，在所述氧化铝陶瓷基板的表面上镀覆铜镀层，所述铜镀层和所述氧化铝陶瓷基板之间有CuAlO₂过渡层，所述铜镀层和CuAlO₂过渡层为不连续的导电层，在所述紫外LED芯片的正电极和负电极之间设置绝缘区，所述绝缘区贯穿整个氧化铝陶瓷基板表面，将所述铜镀层分隔为绝缘的两部分。

2.根据权利要求1所述的紫外LED封装器件，其特征在于，所述封装槽包括安装槽和凹槽，所述安装槽和凹槽相连接，所述安装槽上置放石英玻璃，所述凹槽置放所述紫外LED芯片，所述紫外LED芯片用硅树脂固层封装，所述石英玻璃固定在硅树脂固层上。

3.根据权利要求2所述的紫外LED封装器件，其特征在于，所述石英玻璃为石英透镜玻璃或石英平板玻璃。

4.根据权利要求2所述的紫外LED封装器件，其特征在于，所述凹槽为反光杯结构。

5.根据权利要求2所述的紫外LED封装器件，其特征在于，所述紫外LED芯片的上方硅树脂层的厚度为0.3～1mm。

6.根据权利要求1所述的紫外LED封装器件，其特征在于，所述铜镀层的厚度为50～300μm，所述CuAlO₂过渡层的厚度为3～5μm。

7.根据权利要求1所述的紫外LED封装器件，其特征在于，所述绝缘区为带状，所述带状为中心线对称。

8.根据权利要求7所述的紫外LED封装器件，其特征在于，所述紫外LED芯片采用倒装时，所述带状的宽度小于所述紫外LED芯片的正电极和负电极的间距；所述紫外LED芯片采用正装时，所述带状的宽度小于或等于所述紫外LED芯片的宽度。

9.根据权利要求1所述的紫外LED封装器件，其特征在于，所述铜镀层是通过直接敷铜法在1060～1085℃条件下形成。