[发明专利]用于双向切换装置的快速断开的电路布置

权利要求书

1.一种用于控制双向功率晶体管的晶体管控制装置，其特征在于，所述晶体管控制装置包括：

电阻器，其具有能连接到所述双向功率晶体管的主体端的一端；以及

晶体管主体开关电路，其能连接到所述电阻器的另一端、能连接到所述双向功率晶体管的漏极端，并且能连接到所述双向功率晶体管的源极端，其中所述晶体管主体开关电路包括二个开关装置和二个交流电AC电容分压器，所述AC电容分压器分别连接到所述开关装置的控制端，并且分别能连接到所述双向功率晶体管的漏极端和源极端；其中所述AC电容分压器被配置成控制所述开关装置以切换所述双向功率晶体管的所述主体端的电压作为所述双向功率晶体管的所述漏极端与所述双向功率晶体管的所述源极端之间的电压的函数。

2.根据权利要求1所述的晶体管控制装置，其特征在于，所述开关装置包括第一场效应晶体管FET和第二FET，其中所述二个AC电容分压器包括第一AC电容分压器和第二AC电容分压器，其中所述第一AC电容分压器包括第一二极管、第二电阻器和所述第二FET的栅极电容，并且其中所述第二AC电容分压器包括第二二极管、第三电阻器和所述第一FET的栅极电容。

3.根据权利要求2所述的晶体管控制装置，其特征在于，所述第一二极管的阴极连接到所述第二电阻器，其中所述第一二极管的阳极连接到所述第二FET的栅极端，其中所述第二二极管的阴极连接到所述第三电阻器，并且其中所述第二二极管的阳极连接到所述第一FET的栅极端。

4.根据权利要求2所述的晶体管控制装置，其特征在于，所述第二电阻器能连接到所述双向功率晶体管的所述源极端，并且其中所述第三电阻器能连接到所述双向功率晶体管的所述漏极端。

5.根据权利要求1所述的晶体管控制装置，其特征在于，所述电阻器的电阻值与所述双向功率晶体管的固有主体电阻的电阻值相同或大于所述双向功率晶体管的固有主体电阻的电阻值。

6.根据权利要求5所述的晶体管控制装置，其特征在于，所述双向功率晶体管包括钝化层、掺杂层、第一漂移区、主体层、第二漂移区、衬底层、金属层和从所述钝化层延伸到所述衬底层的两个垂直沟槽，并且其中所述垂直沟槽中的每一个包括多个场板。

7.根据权利要求2所述的晶体管控制装置，其特征在于，所述晶体管主体开关电路另外包括：箝位电路，其连接到所述电阻器、连接到所述第一FET，并且连接到所述第二FET，并且其中所述箝位电路被配置成将相对于所述双向功率晶体管的所述主体端的所述第一FET和第二FET的栅极端中的每一个之间的电压差箝位到低于所述第一FET和第二FET的所述栅极端的击穿电压。

8.一种利用如权利要求1-7中任一项所述的晶体管控制装置来控制双向功率晶体管的方法，其特征在于，所述方法包括：

通过所述晶体管控制装置的电阻器将电压施加到所述双向功率晶体管的主体端；以及

以所述晶体管控制装置来切换所述双向功率晶体管的所述主体端的电压为所述双向功率晶体管的漏极端与所述双向功率晶体管的源极端之间的电压的函数。