[发明专利]半导体器件制备方法有效
| 申请号： | 201710318784.6 | 申请日： | 2017-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN107068764B | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 黄秋铭 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
1.一种半导体器件制备方法，所述半导体器件为鳍式场效应晶体管结构，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一：提供一以鳍式场效应晶体管为半导体基体的半导体衬底，所述半导体衬底上方形成有漏区、源区以及位于所述源区和漏区之间的鳍形沟道区，所述源区、所述漏区和所述鳍形沟道区上表面覆盖掩膜层；所述掩膜层为氮化硅或者氮氧化硅；
步骤二：对步骤一所述的结构进行氧化物层沉积，直至将所述半导体衬底覆盖，使得所述氧化物层上表面与所述掩膜层上表面齐平，去除部分所述氧化物层，被去除的氧化物层的深度大于所述掩膜层的高度；
步骤三：对步骤二中暴露出的位于所述掩膜层下方的所述鳍形沟道区进行掺杂外延层的生长，所述掺杂外延层向所述鳍形沟道区两侧横向生长，接着将所述掩膜层去除，继续去除部分所述氧化物层，被去除的氧化物层的深度小于所述掺杂外延层与半导体衬底之间的高度；
步骤四：刻蚀位于两侧掺杂外延层之间的所述鳍形沟道区，直至所述鳍形沟道区的顶部与剩余的所述氧化物层齐平，对所述掺杂外延层沉积导电材料层形成全包围栅极。
2.如权利要求1所述的半导体器件制备方法，其特征在于，所述半导体基体为单晶硅。
3.如权利要求1所述的半导体器件制备方法，其特征在于，所述氧化物层材料为氧化硅。
4.如权利要求1所述的半导体器件制备方法，其特征在于，所述掺杂外延层为硅掺杂或者碳掺杂。
5.如权利要求1所述的半导体器件制备方法，其特征在于，步骤二和步骤三中去除部分所述氧化物层的方法为湿法刻蚀或者SiCoNi蚀刻。
6.如权利要求1所述的半导体器件制备方法，其特征在于，步骤四中刻蚀位于两侧掺杂外延层之间的所述鳍形沟道区使用湿法刻蚀。
7.如权利要求1所述的半导体器件制备方法，其特征在于，步骤四中沉积导电材料层形成全包围栅极的方法为依次沉积介电层和金属层，所述介电层的介电常数高于二氧化硅。
8.如权利要求1所述的半导体器件制备方法，其特征在于，步骤四中沉积导电材料层形成全包围栅极的方法为依次沉积氧化层和多晶硅。
9.如权利要求8所述的半导体器件制备方法，其特征在于，沉积氧化层的方法为氧化工艺或者原位水汽生成工艺。
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