[发明专利]用于器件制造的改进布局有效
| 申请号： | 201710303374.4 | 申请日： | 2017-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN107452789B | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 史蒂文·托马斯·皮克 | 申请（专利权）人： | 安世有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 顾红霞;龙涛峰 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 器件 制造 改进 布局 | ||
【权利要求书】：
1.一种制造器件的方法，所述方法包括：
在晶圆的顶表面上形成外延层；
在所述外延层的顶表面中形成主体层；
仅在Y方向上形成多个源极植入条；
形成包括X方向和Y方向上的沟槽的沟槽交叉网，其中，Y方向上的沟槽穿过所述多个源极植入条中的每一个；
将介电材料沉积在所述沟槽交叉网中的沟槽的壁上；
用源极多晶硅填充所述沟槽交叉网中的沟槽；
仅在X方向上的源极沟槽中形成栅极沟槽；以及
用栅极多晶硅填充所述栅极沟槽，使得所述栅极多晶硅的一部分突出到所述晶圆的顶表面上方。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在用栅极多晶硅填充所述栅极沟槽之前，将介电材料沉积到所述栅极沟槽的壁上。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成源极沟槽包括：形成用于形成源极接点条的源极接点沟槽。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成栅极沟槽包括：形成用于形成栅极接点条的栅极接点沟槽。
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