[发明专利]显示面板的制造方法和显示面板

权利要求书

1.一种显示面板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底层上形成有源层；

在形成有所述有源层的衬底层上形成光刻胶图案，所述光刻胶图案包括第一光刻胶区、第二光刻胶区和光刻胶完全去除区，且所述第一光刻胶区的光刻胶厚度大于所述第二光刻胶区的光刻胶厚度；

去除与所述光刻胶完全去除区对应的有源层，得到有源层图案；

去除所述第二光刻胶区的光刻胶；

对所述第二光刻胶区对应的有源层图案进行预设处理，使所述第二光刻胶区对应的有源层图案能够与源漏极形成欧姆接触；

去除所述第一光刻胶区的光刻胶；

在去除了所述第一光刻胶区的光刻胶的衬底层上依次形成源漏导电图案、栅绝缘层和栅导电图案。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述有源层的衬底层上形成光刻胶图案，包括：

在形成有所述有源层的衬底层上形成光刻胶层；

采用半色调掩膜板对所述光刻胶层进行曝光处理和显影处理，得到所述光刻胶图案。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述第二光刻胶区对应的有源层图案进行预设处理，包括：

对所述第二光刻胶区对应的有源层图案进行离子注入。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述对所述第二光刻胶区对应的有源层图案进行离子注入，包括：

以低能量离子对所述第二光刻胶区对应的有源层图案进行离子注入。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在衬底层上形成有源层，包括：

在所述衬底层上形成非晶硅层；

对所述非晶硅层进行晶化处理，使所述非晶硅层转变为作为所述有源层的多晶硅层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述第二光刻胶区的光刻胶，包括：

通过灰化工艺持续减小所述光刻胶图案的厚度，直至去除所述第二光刻胶区的光刻胶时停止。

7.根据权利要求1-6任一所述的方法，其特征在于，所述在去除了所述第一光刻胶区的光刻胶的衬底层上依次形成源漏导电图案、栅绝缘层和栅导电图案，包括：

在去除了所述第一光刻胶区的光刻胶的衬底层上形成所述源漏导电图案，所述源漏导电图案包括源极、漏极和存储电容的第一极；

在形成有所述源漏导电图案的衬底层上形成所述栅绝缘层；

在形成有所述栅绝缘层的衬底层上形成所述栅导电图案，所述栅导电图案包括栅极和所述存储电容的第二极。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述源漏导电图案的衬底层上形成所述栅绝缘层，包括：

通过等离子增强化学气相沉积PECVD工艺在形成有所述源漏导电图案的衬底层上形成所述栅绝缘层。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述栅绝缘层的材料包括氧化硅和氮化硅中的至少一种。

10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求1至9任一所述的方法制造的显示面板。