[发明专利]一种高击穿强度的X7R电容器陶瓷材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201710296883.9 | 申请日： | 2017-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN107098695B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 郝华;程旷男;赖昕;刘韩星;曹明贺;尧中华 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/468 | 分类号： | C04B35/468;C04B35/622;H01G4/12;C03C12/00;C03C6/04 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 乔宇 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 击穿 强度 x7r 电容器 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种高击穿强度的X7R电容器陶瓷材料，其特征在于：所述X7R电容器陶瓷材料组成为0.3BiAlO3-0.7BaTiO3+xmol%MnO2+ywt%BAS，x取值为0.2~1.0，y取值为2~6，MnO2的加入量为0.3BiAlO3-0.7BaTiO3的0.2~1.0mol%，BAS无碱玻璃的加入量为MnO2和BiAlO3-BaTiO3总质量的2%~6%；并且，所述X7R电容器陶瓷材料是将固相法制得0.3BiAlO3-0.7BaTiO3+xmol%MnO2粉末，然后掺杂BAS无碱玻璃烧结得到，掺杂BAS无碱玻璃的烧结温度为1000~1100℃；所述X7R电容器陶瓷材料介电常数Ɛ25℃＞1000且宽温稳定性满足|ΔC/C|≤15%的温度范围为-55℃~125℃，击穿强度20kV/mm以上；
所述的高击穿强度的X7R电容器陶瓷材料是由如下方法制备而成：
步骤一、将Bi2O3、Al2O3、BaCO3、TiO2和MnO2按理论计量比，并在Bi过量的情况下固相法制备出0.3BiAlO3-0.7BaTiO3+xmol%MnO2粉末，x取值为0.2~1.0；其中，Bi2O3过量3-5wt%；
步骤二、取占0.3BiAlO3-0.7BaTiO3+xmol%MnO2粉末质量百分比为2~6%的BAS玻璃细粉和混合球磨，烘干、造粒、压片、排胶后升温到1000~1100℃，保温烧结，得到所述的高击穿强度的X7R电容器陶瓷材料；所述的BAS无碱玻璃细粉为按H3BO3、Al2O3、SiO2所占的质量百分比：50wt%H3BO3、30wt%Al2O3、20wt%SiO2。
2.权利要求1所述的高击穿强度的X7R电容器陶瓷材料的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
步骤一、将Bi2O3、Al2O3、BaCO3、TiO2和MnO2按理论计量比，并在Bi过量的情况下固相法制备出0.3BiAlO3-0.7BaTiO3+xmol%MnO2粉末，x取值为0.2~1.0；
步骤二、取占0.3BiAlO3-0.7BaTiO3+xmol%MnO2粉末质量百分比为2~6%的BAS玻璃细粉和混合球磨，烘干、造粒、压片、排胶后升温到1000~1100℃，保温烧结，得到所述的高击穿强度的X7R电容器陶瓷材料。
3.根据权利要求2所述的高击穿强度的X7R电容器陶瓷材料的制备方法，其特征在于：步骤一中Bi2O3过量3-5wt%。
4.根据权利要求2所述的高击穿强度的X7R电容器陶瓷材料的制备方法，其特征在于：步骤一固相烧结温度为850~950℃，固相烧结时间为2h~4h；固相烧结前将Bi2O3、Al2O3、BaCO3、TiO2和MnO2充分球磨，烘干。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉理工大学，未经武汉理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710296883.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
