[发明专利]一种GaN水平纳米线电子器件制备方法

权利要求书

1.一种GaN水平纳米线电子器件制备方法，其特征在于，包括有以下步骤：

将衬底放进4:1的硫酸、双氧水中浸泡4min，取出后用去离子水冲洗；将衬底放入丙酮溶液中80℃超声清洗10min，然后再放入乙醇溶液中80℃超声清洗10min，取出后用去离子水冲洗；

使用真空镀膜机在衬底表面镀上金属薄膜；

在氢化物气相外延生长设备中，通过气液固相生长方法在蒸镀有催化剂的衬底上生长水平纳米线；

将生长有水平GaN纳米线的衬底放入王水中浸泡30s；

通过匀胶、前烘、后烘、曝光、显影工序在生长有水平GaN纳米线的衬底上光刻100*100mm的方形电极阵列；所述方形电极阵列中的第一方形电极和第二方形电极分别连接至纳米线的两端；

使用真空镀膜机在光刻好的衬底上蒸镀金属薄膜；

采用等离子体增强化学的气相沉积设备沉积厚度为的SiO₂；所述厚度为的SiO₂覆盖在水平纳米线上；

通过聚焦离子束工艺在沉积有SiO₂的一根纳米线顶部沉积金属铂，并引出金属铂连接至方形电极。

2.根据权利要求1所述的一种GaN水平纳米线电子器件制备方法，其特征在于：所述衬底为蓝宝石衬底。

3.根据权利要求1所述的一种GaN水平纳米线电子器件制备方法，其特征在于：使用真空镀膜机在衬底表面镀上金属薄膜时，所述金属薄膜为厚度2nm/2nm的Ni/Au。

4.根据权利要求1所述的一种GaN水平纳米线电子器件制备方法，其特征在于：在氢化物气相外延生长设备中，通过气液固相生长方法在蒸镀有催化剂的衬底上生长水平纳米线，生长条件为：温度为850℃，GaCl流量为10sccm，NH₃流量为100sccm，时间为4min。

5.根据权利要求1所述的一种GaN水平纳米线电子器件制备方法，其特征在于：使用真空镀膜机在光刻好的衬底上蒸镀金属薄膜时，所述金属薄膜为厚度50nm/300nm的Ni/Au。

6.根据权利要求1所述的一种GaN水平纳米线电子器件制备方法，其特征在于：采用等离子体增强化学的气相沉积设备沉积厚度为的SiO₂的条件为：温度为300℃，压力为600mTorr，N₂O流量为1000sccm，SiH₄流量为500sccm，He流量为25sccm，N₂流量为475sccm。