[发明专利]一种含有导电聚合物的量子点及制备方法与QLED器件在审
申请号: | 201710283675.5 | 申请日: | 2017-04-26 |
公开(公告)号: | CN108795408A | 公开(公告)日: | 2018-11-13 |
发明(设计)人: | 程陆玲;杨一行 | 申请(专利权)人: | TCL集团股份有限公司 |
主分类号: | C09K11/02 | 分类号: | C09K11/02;C09K11/66;H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文;刘文求 |
地址: | 516006 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电聚合物 量子点 制备 阳离子前驱体 混合液 量子点材料 阴离子前驱体 电子传输层 混合液加热 合成过程 加热搅拌 完全溶解 分散性 固态膜 缓冲层 聚合物 导电 提纯 | ||
本发明公开一种含有导电聚合物的量子点及制备方法与QLED器件,方法包括步骤:将阳离子前驱体与导电聚合物混合,并加热搅拌直至导电聚合物完全溶解,得到含有阳离子前驱体和导电聚合物的混合液;将含有阳离子前驱体和导电聚合物的混合液加热至100‑140℃,然后加入阴离子前驱体进行反应5‑30min,得到含有量子点和导电聚合物的混合液;待反应完成后,对含有量子点和导电聚合物的混合液进行提纯处理,制备完成。本发明通过在量子点的合成过程中加入不参与反应的导电聚合物,制备得到了一种既含有导电的聚合物又含有分散性很好的量子点材料。将该量子点材料制成量子点固态膜与电子传输层之间的缓冲层,可提高QLED器件的效率。
技术领域
本发明涉及发光二极管技术领域,尤其涉及一种含有导电聚合物的量子点及制备方法与QLED器件。
背景技术
至量子点问世以来有关量子点的合成技术已经有了很大的发展,有关量子点的相关技术参数如稳定性,荧光强度、半峰宽、单分散等特性都在逐步得到相应的优化。
量子点的应用范围比较广,如在太阳能电池领域、发光二极管领域、荧光生物标记领域等。在发光二极管和太阳能电池等研究领域都会涉及到器件组装,然而在器件组装的过程中都会涉及到电子和空穴传输层,这些传输层大都是通过蒸镀、旋涂的方法与量子点分开进行层层制备的,这种方法影响电荷在界面层的传输同时也影响整个器件的效率。因此在界面处制备一层既含有导电的聚合物又含有分散性很好的量子点缓冲层显得非常有必要。这种缓冲层的制备大多是通过将导电聚合物和量子点放置在一种溶剂中进行搅拌溶解,因聚合物与油溶性量子点在同一种溶剂中的溶解度差异较大,其弊端是溶解时间较长,量子点分散不均匀,甚至会有很多沉淀。
因此,现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种含有导电聚合物的量子点及制备方法与QLED器件,旨在解决现有方法存在的溶解时间较长,量子点分散不均匀的问题。
本发明的技术方案如下:
一种含有导电聚合物的量子点的制备方法,其中,包括:
步骤A、将阳离子前驱体与导电聚合物混合,并加热搅拌直至导电聚合物完全溶解,得到含有阳离子前驱体和导电聚合物的混合液;
步骤B、将含有阳离子前驱体和导电聚合物的混合液加热至100-140℃,然后注入阴离子前驱体反应5-30min,得到含有量子点和导电聚合物的混合液;
步骤C、待反应完成后,对含有量子点和导电聚合物的混合液进行提纯处理,制备完成。
所述的含有导电聚合物的量子点的制备方法,其中,所述步骤A中,所述阳离子前躯体为Cd(OA)2、Zn(OA)2、In(OA)2、Pb(OA)2中的一种或多种。
所述的含有导电聚合物的量子点的制备方法,其中,所述步骤A中,所述导电聚合物为自聚乙撑二氧噻吩-聚( 苯乙烯磺酸盐)、掺杂聚(全氟乙烯-全氟醚磺酸)的聚噻吩并噻吩、聚[N,N'-双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺]、聚[(9,9-二辛基芴-2,7-二基)-共-(4,4'-(N-(4-仲丁基苯基)二苯胺)]、聚(9-乙烯基咔唑)、聚(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)、2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰二甲基对苯醌、聚[(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)-alt-(苯并[2,1,3]噻二唑-4,8-二基)]、4,4'-二(9-咔唑)联苯、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺、N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、N,N'- 双-1-萘基)-N,N'-二苯基-1,1'-联苯-4,4'-二胺、P3HT组成中的至少两种。
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