[发明专利]一种含有导电聚合物的量子点及制备方法与QLED器件

权利要求书

1.一种含有导电聚合物的量子点的制备方法，其特征在于，包括：

步骤A、将阳离子前驱体与导电聚合物混合，并加热搅拌直至导电聚合物完全溶解，得到含有阳离子前驱体和导电聚合物的混合液；

步骤B、将含有阳离子前驱体和导电聚合物的混合液加热至100-140℃，然后注入阴离子前驱体反应5-30min，得到含有量子点和导电聚合物的混合液；

步骤C、待反应完成后，对含有量子点和导电聚合物的混合液进行提纯处理，制备完成。

2.根据权利要求1所述的含有导电聚合物的量子点的制备方法，其特征在于，所述步骤A中，所述阳离子前躯体为Cd(OA)₂、Zn(OA)₂、In(OA)₂、Pb(OA)₂中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的含有导电聚合物的量子点的制备方法，其特征在于，所述步骤A中，所述导电聚合物为自聚乙撑二氧噻吩-聚( 苯乙烯磺酸盐)、掺杂聚（全氟乙烯-全氟醚磺酸）的聚噻吩并噻吩、聚[N,N'-双（4-丁基苯基）-N,N'-双（苯基）联苯胺]、聚[（9,9-二辛基芴-2,7-二基）-共-（4,4'-（N-（4-仲丁基苯基）二苯胺）]、聚(9-乙烯基咔唑)、聚(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)、2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰二甲基对苯醌、聚[(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)-alt-(苯并[2,1,3]噻二唑-4,8-二基)]、4,4'-二(9-咔唑)联苯、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺、N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、N,N'- 双-1-萘基）-N,N'-二苯基-1,1'-联苯-4,4'-二胺、P₃HT组成中的至少两种。

4.根据权利要求1所述的含有导电聚合物的量子点的制备方法，其特征在于，所述步骤A中，所述阳离子前驱体与导电聚合物混合后，先常温搅拌5-15min，然后加热到80-120℃搅拌50-70min，直至导电聚合物完全溶解。

5.根据权利要求1所述的含有导电聚合物的量子点的制备方法，其特征在于，所述步骤B中，所述阴离子前躯体为S-ODE、S-TOP、S-OA、Se-TOP、S-OLA、S-TBP、Se-TBP、Te-ODE、Te-OA、Te-TOP、Te-TBP中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的含有导电聚合物的量子点的制备方法，其特征在于，所述步骤B中，得到的所述量子点为二元相量子点、三元相量子点、四元相量子点中的一种；其中所述二元相量子点为CdS、CdSe、CdTe、InP、AgS、PbS、PbSe、HgS中的一种或多种，所述三元相量子点为Zn_XCd_1-XS、Cu_XIn_1-XS、Zn_XCd_1-XSe、Zn_XSe_1-XS、Zn_XCd_1-XTe、PbSe_XS_1-X中的一种或多种，所述四元相量子点为Zn_XCd_1-XS/ZnSe、Cu_XIn_1-XS/ZnS、Zn_XCd_1-XSe/ZnS、CuInSeS、Zn_XCd_1-XTe/ZnS、PbSe_XS_1-X/ZnS中的一种或多种。

7.根据权利要求1所述的含有导电聚合物的量子点的制备方法，其特征在于，所述步骤C具体包括：对含有量子点和导电聚合物的混合液进行反复溶解、沉淀，并离心分离。

8.根据权利要求7所述的含有导电聚合物的量子点的制备方法，其特征在于，用甲苯和甲醇对含有量子点和导电聚合物的混合液进行反复溶解、沉淀。