[发明专利]一种多晶硅的晶化方法、晶化设备及多晶硅

说明书

本文公开了一种多晶硅的晶化方法、晶化设备及多晶硅。所述多晶硅的晶化方法，包括：将沉积有非晶硅层的基板置于液体中；通过准分子镭射退火ELA装置对液体中的非晶硅层进行激光照射晶化所述非晶硅。本文的技术方案能够提高多晶硅的结晶质量，使得晶化过程中的能量调节更加连续和便捷。

技术领域

本发明涉及液晶显示面板背板制备领域，尤指一种多晶硅的晶化方法、晶化设备及多晶硅。

背景技术

对于移动产品来说，OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机电致发光二极管)器件由于高的对比度，出色的显示效果以及可以用于柔性显示正在受到越来越多的重视。而OLED显示面板的背板一般需要LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低温多晶硅技术)来驱动，作为LTPS的核心的技术之一，ELA(Excimer Laser Annealing，准分子镭射退火)设备的效果直接影响着最终的离子迁移率，进而影响着最后的显示效果，所以如何通过简单的方法得到较好的结晶效果的p-Si(Poly-Si，多晶硅)将会对于LTPS背板的优异性能的实现具有决定性的作用。

现有的ELA设备是通过改变激光的能量来实现对于不同结晶效果的p-Si的控制，这种方法固然可以满足现有的条件对于p-Si的性能的要求，但是这种方法对于设备的要求较高，需要较复杂的激光能量的控制系统，因此成本较高。此外，这种方法由于ELA设备对a-Si(amorphous silicon，非晶硅)的加热是在真空中进行，不可控的冷却速度会影响a-Si加热后的结晶状态，使得最终得到的p-Si表面的均匀性较差，这将会影响到最终的TFT(ThinFilm Transistor，薄膜晶体管)的特性。

发明内容

本申请提供了一种多晶硅的晶化方法、晶化设备及多晶硅，能够提高多晶硅的结晶质量，使得晶化过程中的能量调节更加连续和便捷。

本发明实施例提供了一种多晶硅的晶化方法，包括：将沉积有非晶硅层的基板置于液体中；通过准分子镭射退火ELA装置对液体中的非晶硅层进行激光照射晶化所述非晶硅。

本发明实施例还提供了一种多晶硅，所述多晶硅采用上述多晶硅的晶化方法制备。

本发明实施例还提供了一种多晶硅的晶化设备，包括：晶化池，用于装载液体；基板固定装置，设置在所述晶化池内，用于承载沉积有非晶硅层的基板；准分子镭射退火ELA装置，用于对所述液体中的非晶硅层进行激光照射晶化所述非晶硅。

与相关技术相比，本发明实施例提供了一种多晶硅的晶化方法、晶化设备及多晶硅，将沉积有非晶硅(a-Si)的基板放入液体中，通过准分子镭射退火ELA装置对液体中的非晶硅层进行激光照射晶化所述非晶硅，非晶硅表面吸收激光的能量后产生的高温会将表面的液体气化，液体气化后产生的高压以及上部液体的重力作用于融化的硅的液体的表面可以抑制硅的纵向生长，减少生成多晶硅(p-Si)的表面的粗糙度，使多晶硅表面更均匀，提升晶化的质量。另外，通过改变非晶硅层距离液面的距离来改变非晶硅层获得的激光能量，这种对于激光能量的调节方法是较为连续且易于控制的，更加有利于得到最佳的激光能量。

本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得

附图说明

附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。

图1为本发明实施例一的一种多晶硅的晶化方法的流程图；

图2-1为本发明实施例三中一种多晶硅的晶化设备的示意图(一)；

图2-2为本发明实施例三中一种多晶硅的晶化设备的示意图(二)；