[发明专利]一种多晶硅的晶化方法、晶化设备及多晶硅

权利要求书

1.一种多晶硅的晶化方法，包括：

将沉积有非晶硅层的基板置于液体中；

通过准分子镭射退火ELA装置对液体中的非晶硅层进行激光照射晶化所述非晶硅。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

在将沉积有非晶硅层的基板置于液体中之前，所述方法还包括：

根据多晶硅晶化需要的晶粒尺寸确定所述非晶硅层与液面的距离；

其中，所述非晶硅层与液面的距离不同，所述非晶硅层获得的激光能量不同。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：

所述根据多晶硅晶化需要的晶粒尺寸确定所述非晶硅层与液面的距离，包括：

针对所述非晶硅层的膜层结构，在激光能量的一定变化范围内，当需要获得大的晶粒时，将所述非晶硅层距离液面的距离变小以增加所述非晶硅层获得的激光能量；当需要获得小的晶粒时，将所述非晶硅层距离液面的距离变大以减少所述非晶硅层获得的激光能量。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在对液体中的非晶硅层进行激光照射前和激光照射过程中，向所述液体中通入保护气体以排除液体中溶解的氧气。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

对晶化处理后得到的多晶硅进行清洗以消除晶化过程中生成的二氧化硅SiO₂氧化膜。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其特征在于：

所述液体是水。

7.一种多晶硅，所述多晶硅采用如权利要求1-6中任一项所述的多晶硅的晶化方法制备。

8.一种多晶硅的晶化设备，包括：

晶化池，用于装载液体；

基板固定装置，设置在所述晶化池内，用于承载沉积有非晶硅层的基板；

准分子镭射退火ELA装置，用于对所述液体中的非晶硅层进行激光照射晶化所述非晶硅。

9.根据权利要求8所述的设备，其特征在于：

所述基板固定装置，还用于调节所述非晶硅层与液面的距离，根据多晶硅晶化需要的晶粒尺寸确定所述非晶硅层与液面的距离；

其中，所述非晶硅层与液面的距离不同，所述非晶硅层获得的激光能量不同。

10.根据权利要求8或9所述的设备，其特征在于，还包括通气装置，所述通气装置用于在对液体中的非晶硅层进行激光照射前和激光照射过程中，向所述液体中通入保护气体以排除液体中溶解的氧气。