[发明专利]成膜速率检测模组、成膜设备、成膜速率检测方法有效
申请号: | 201710277788.4 | 申请日: | 2017-04-25 |
公开(公告)号: | CN107017177B | 公开(公告)日: | 2019-06-07 |
发明(设计)人: | 蒋国;刘洋;尚跃东;李建;杨乐;刘金伟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;C23C14/24 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 速率 检测 模组 设备 方法 | ||
本发明提供一种成膜速率检测模组、成膜设备、成膜速率检测方法,属于成膜速率检测技术领域,其可至少部分解决现有的成膜速率检测技术检测准确率低的问题。本发明的成膜速率检测模组包括:多个主传感器,其用于检测其上形成薄膜的速率;遮蔽各主传感器且具有主开口的主挡板,其能运动以使主开口轮流对应每个主传感器;辅传感器,其用于检测其上形成薄膜的速率;遮蔽辅传感器且具有辅开口的辅挡板,其能周期运动,在周期运动过程中辅开口经过对应辅传感器的位置,且辅开口面积与其在一个运动周期中累积扫过面积的比为k,k小于等于1/n,n为主传感器个数。
技术领域
本发明属于成膜速率检测技术领域,具体涉及一种成膜速率检测模组、成膜设备、成膜速率检测方法。
背景技术
有机发光二极管(OLED)显示面板具有可视度大、亮度高、电压需求低、能耗省、响应快、厚度薄、构造简单、重量轻、成本低等优点,故被广泛应用。OLED显示面板的性能与其中结构的膜厚密切相关,而许多结构是通过蒸镀工艺制备的,故其膜厚由成膜速率(蒸镀速率)和成膜时间决定。为此,在蒸镀过程中检测成膜速率对保证产品性能十分重要。为检测成膜速率,可在蒸镀腔室中设置可振动的成膜速率传感器,蒸镀时成膜速率传感器上也成膜,随着膜厚增加其振动状况相应变化,故通过振动状况可计算出成膜速率。当成膜速率传感器上的膜厚达到一定值时使用寿命到期,必须更换,但更换过程中无法检测。为减少更换频率,可用挡板和多个成膜速率传感器组成成膜速率检测模组,该挡板有开口,当开口对准某成膜速率传感器时,该成膜速率传感器暴露并可进行检测,其它成膜速率传感器则被挡板遮挡故不成膜;当该成膜速率传感器达到使用寿命后,挡板移动使开口对准另一成膜速率传感器并用其进行检测,如此重复,直到全部成膜速率传感器都达到使用寿命再更换成膜速率检测模组。
以上方法在同一时刻只有一个成膜速率传感器工作,若其因故障等产生错误则无法被发现,导致检测准确率低。若同时用多个成膜速率传感器进行测量,则会加快成膜速率传感器的消耗,降低成膜速率检测模组的使用寿命。
发明内容
本发明至少部分解决现有的成膜速率检测技术检测准确率低的问题,提供一种可在不对使用寿命造成影响的情况下提高检测准确率的成膜速率检测模组、成膜设备、成膜速率检测方法。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种成膜速率检测模组,其包括:
多个主传感器,其用于检测其上形成薄膜的速率;
遮蔽各主传感器且具有主开口的主挡板,其能运动以使主开口轮流对应每个主传感器;
辅传感器,其用于检测其上形成薄膜的速率;
遮蔽辅传感器且具有辅开口的辅挡板,其能周期运动,在周期运动过程中辅开口经过对应辅传感器的位置,且辅开口面积与其在一个运动周期中累积扫过面积的比为k,k小于等于1/n,n为主传感器个数。
优选的是,所述主挡板为带有主开口的圆环形板,所述多个主传感器沿圆环形板周向均匀分布。
优选的是,所述辅挡板为有辅开口的圆形板,所述辅传感器设于对应圆形板非圆心的位置。
优选的是,所述主挡板为具有主开口的圆环形板,所述多个主传感器沿圆环形板周向均匀分布;所述辅挡板为有辅开口的圆形板,所述辅传感器设于对应圆形板非圆心的位置;所述圆形板同心的设于所述圆环形板内侧。
优选的是,所述圆形板的半径等于圆环形板的内径。
优选的是,所述辅开口的面积等于其在一个运动周期中累积扫过的面积的1/n。
优选的是,所述成膜速率检测模组还包括:主驱动单元,用于驱动所述主挡板运动;辅驱动单元,用于驱动所述辅挡板匀速的周期运动。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种成膜设备,包括用于成膜的成膜腔室,
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造